[发明专利]一种圆片级封装的引线焊盘引出方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子行业基板封装技术领域，具体涉及一种圆片级封装的引线焊盘引出方法。 

背景技术

随着微电子技术的发展，微电子处理功能的复杂、多样化，在对芯片基板的处理过程中，通常要对芯片基板进行封装，在圆片级封装过程中，正面需要气密封装或盖板保护的芯片，在封装后的焊盘引出。在传统的圆片级气密封装中，不论是采用何种晶圆级键合方式（阳极键合、共晶键合、聚合物键合、扩散键合等），芯片正面均被盖板保护起来，因此必须将芯片正面焊盘引出。 

在现有的圆片级封装的引线焊盘引出方法中，较为先进的是采用TSV（穿硅通孔）技术，即将芯片焊盘通过穿过硅片的通孔引到芯片背面，再用芯片表贴方法和基板连接，目前该技术正在开发推广过程中，技术难度高。现有技术中还采用了在焊盘正面通过盖板打孔从而使得焊盘露出，引线从盖板穿过连接焊盘，这种方法的引线太长，操作不方便而且还造成引线的浪费。现有技术中的圆片级封装的引线焊盘引出方法中通常采用的是手动裂片，会增加裂片损坏芯片的风险。 

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种圆片级封装的引线焊盘引出方法，可以简单、方便地把引线从焊盘中引出，制造工艺简单，同时所需的引线不会太长，提高了生产效率，大大降低生产成本，而且减小了引线引出时裂片损坏芯片的风险。 

其技术方案是这样的：一种圆片级封装的引线焊盘引出方法，其特征在于：其包括如下步骤： 

（1）、在盖板上对应焊盘位置刻蚀浅槽；

（2）、将盖板覆盖键合在带有焊盘的晶圆上，所述盖板上的浅槽面与晶圆连接并且浅槽面与所述晶圆形成空间；

（3）、对成形一体的盖板和晶圆进行交错切割，从而把被覆盖的焊盘暴露，引线连接焊盘，焊盘通过引线引出。

其进一步特征在于，1）在键合后的晶圆背面粘贴胶膜，从盖板正面进行切割划片，精确控制切割深度至盖板浅槽面完全切开； 

2）去掉晶圆背面的胶膜，在盖板背面粘贴胶膜；

3）从晶圆背面进行切割，切割深度贯穿晶圆和盖板。

其进一步特征在于，采用湿法腐蚀的方式刻蚀加工浅槽；采用干法刻蚀技 

术刻蚀加工浅槽；采用利用机械加工的方法，利用划片机或雕刻机，在上盖板上加工深度可控的浅槽；

其进一步，采用湿法腐蚀的方式刻蚀加工浅槽，其工艺步骤包括：

（1a）、在玻璃基板上利用蒸发或溅射的方法制备金属薄膜

（2a）、光刻、腐蚀金属薄膜，从而形成下一步腐蚀玻璃的金属掩膜图形

（3a）、以图形化的金属薄膜为掩膜，采用玻璃腐蚀溶液对玻璃盖板进行各项同性湿法腐蚀，从而形成浅槽；

其更进一步地，采用干法刻蚀技术刻蚀加工浅槽，其工艺步骤包括：光刻胶为掩膜，利用干法刻蚀设备，制备浅槽。

本发明的上述方法中，由于在盖板上对应焊盘刻蚀浅槽，将盖板覆盖在焊盘上，盖板上的浅槽面与焊盘连接并且浅槽与焊盘形成空间，对成形一体的盖板和焊盘进行整体切割，引线从浅槽与焊盘形成的空间中引出，可以简单、方便地把引线从焊盘中引出，制造工艺简单，同时所需的引线不会太长，提高了生产效率，大大降低生产成本，同时在划片机上完成芯片分离，不需手动裂片，减小了引线引出时裂片损坏芯片的风险。 

附图说明

图1为本发明圆片级封装的引线焊盘引出方法示意图。 

具体实施方式

见图1所示，一种圆片级封装的引线焊盘引出方法，其包括如下步骤： 

（1）、在盖板1上对应焊盘7位置刻蚀浅槽2；

（2）、将盖板1覆盖键合在带有焊盘7的晶圆3上，盖板1上的浅槽面与晶圆3连接并且浅槽面与晶圆3形成空间；

（3）、对成形一体的盖板和焊盘进行交错切割，从而把被覆盖的焊盘7暴露，引线5连接焊盘7，焊盘7通过引线5引出。

其进一步，包括以下步骤：1）在键合后的晶圆3背面粘贴胶膜6-1，从盖板1正面进行切割划片，精确控制切割深度至盖板1浅槽面完全切开； 

2）去掉晶圆3背面的胶膜6-1，在盖板1背面粘贴胶膜6-2；

3）从晶圆3背面进行切割，切割深度贯穿晶圆3和盖板1，使得切割下来的完全分离的盖板通过胶膜粘连，避免了盖板的散落。

实施例一，上述方法中对盖板的材质没有局限，如果玻璃盖板，可以采用湿法腐蚀的方式刻蚀加工浅槽，其具体工艺步骤如下： 

（1a）、在玻璃基板上利用蒸发或溅射的方法制备金属薄膜