[发明专利]一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法

权利要求书

1.一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，先抽真空，然后向炉体内通入氩气，再将硅料加热熔化，其特征在于按照以下步骤继续进行：

（1）硅体长晶：逐步降低中部加热装置和下部加热装置的温度，并同时提高可旋转升降水冷平台机构（18）中水的流速，使坩埚（19）底部温度逐渐降低，当坩埚（19）底部温度低于1414℃时，坩埚（19）底部开始结晶并形成多晶硅，当定向凝固至45-55%时，然后再降低上部加热装置的温度，使多晶硅继续往上生长；

（2）退火冷却：当多晶硅完全生长成时，调整上部加热装置、中部加热装置和下部加热装置温度，对多晶硅锭进行退火后保温，最后关闭加热装置的电源，让硅锭自动降温；

（3）出锭结束：当多晶硅形成的多晶硅锭的温度降低到300℃以下时，打开上炉盖（1），启动可旋转升降水冷平台机构(18),将坩埚升至其底面高出炉体上法兰表面，取出多晶硅铸锭，操作结束。

2.权利要求1所述的一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，其特征在于所述的步骤（1）中的中部加热装置和下部加热装置的降温按照以下程序进行：温度从1450℃-1500℃开始下降，最初的3小时以每小时15-25℃的速度下降，随后以每小时5-15℃的速度下降，直至下降至950-1000℃。

3.权利要求1所述的一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，其特征在于所述的步骤（1）中的上部加热装置的降温按照以下程序进行：从1460-1500℃开始下降，以每小时2-5℃的速度下降，最终稳定在1350-1370℃。

4.权利要求1所述的一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，其特征在于所述的步骤（1）中，可旋转升降水冷平台机构（18）中水的流速为200-300L/min。

5.权利要求1所述的一种多晶硅定向凝固的工艺控制方法，其特征在于所述的步骤（2）中当多晶硅锭完全生长成后，提高中部加热装置和下部加热装置至1350-1370℃，保温1.5-2.5小时，再用2.5-3.5小时降低上部加热装置、中部加热装置和下部加热装置温度至1100-1200℃，保温1.5-2.5小时；之后再用2.5-3.5小时降低上部加热装置、中部加热装置和下部加热装置的温度至800-950℃，保温0.5-1.5小时，最后关闭加热装置的电源，让硅锭自动降温。