[发明专利]一种八晶体管静态随机存储器单元

权利要求书

1.一种八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于，至少包括：

第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；

第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；

传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；

其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。

2.根据权利要求1所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：

所述第三NMOS晶体管的源极同时连接所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第一位线；

所述第四NMOS晶体管的源极同时连接所述第一反相器的输入端及所述第二反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第一位线bar。

所述第五NMOS晶体管的源极连接所述第一反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第二位线；

所述第六NMOS晶体管的源极连接所述第二反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第二位线bar。

3.根据权利要求1所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管的源区具有N型重掺杂区域、所述第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管的源区具有P型重掺杂区域，以实现各晶体管的源体欧姆接触体引出结构。

4.根据权利要求3所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：各所述N型重掺杂区域边界与其对应在的PMOS晶体管的栅极的距离大于或等于栅极侧墙的宽度，各所述P型重掺杂区域边界与其所在的NMOS晶体管的栅极的距离大于或等于栅极侧墙的宽度。

5.根据权利要求4所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：

所述第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管的源区顶部均形成有硅化物，且所述硅化物与所对应的N型重掺杂区域接触；

所述第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管的源区顶部均形成有硅化物，且所述硅化物与所对应的P型重掺杂区域接触。

6.根据权利要求1所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管采用普通浮体结构、T栅体引出结构或H栅体引出结构。

7.根据权利要求1所述的八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于：所述八晶体管静态随机存储器单元的制作衬底为绝缘体上硅衬底SOI。