[发明专利]有机发光二极管显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201310244296.7 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN103515413A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 许峻瑛;尹钟根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造有机发光二极管显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:
在基板的显示区域中形成薄膜晶体管,所述基板具有显示区域和非显示区域;
在所述基板上在所述显示区域中形成金属图案;
在所述基板上形成连接到所述薄膜晶体管的第一电极;
在所述基板上形成堤台,以露出所述第一电极的一部分和所述金属图案的一部分;
形成用于覆盖所述金属图案的光致抗蚀剂图案;
在设置有所述第一电极和所述光致抗蚀剂图案的所述基板的整个表面上方依次形成空穴公共层、有机发光层和电子公共层;
去除所述光致抗蚀剂图案;以及
在所述电子公共层上形成用于连接到所述金属图案的第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成光致抗蚀剂图案的步骤包括:
在所述基板的整个表面上方涂覆光致抗蚀剂;
通过对所述光致抗蚀剂进行曝光和显影,形成具有倒梯形形状的光致抗蚀剂图案。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,形成有机发光层的步骤通过在所述基板的整个表面上方形成发出白光的有机发光材料,或通过在各个子像素上形成分别发出红光、绿光和蓝光的有机发光材料而进行。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,同时去除形成在所述光致抗蚀剂图案上的所述空穴公共层、所述有机发光层和所述电子公共层,以在去除所述光致抗蚀剂图案期间露出所述金属图案。
5.根据权利要求1或2所述的方法,所述方法还包括以下步骤:在去除所述光致抗蚀剂图案之前,在设置有所述电子公共层的所述基板的整个表面上方形成辅助电极。
6.一种制造有机发光二极管显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:
在基板的显示区域中形成薄膜晶体管,所述基板具有显示区域和非显示区域;
在所述基板上在所述显示区域中形成金属图案;
在所述基板上形成连接到所述薄膜晶体管的第一电极;
在所述基板上形成堤台,以露出所述第一电极的一部分和所述金属图案的一部分;
在设置有所述第一电极、所述堤台和所述金属图案的所述基板的整个表面上方依次形成空穴公共层、有机发光层和电子公共层;
形成覆盖所述电子公共层的光致抗蚀剂图案,并且使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来去除所述空穴公共层、所述有机发光层和所述电子公共层;
去除所述光致抗蚀剂图案;以及
在所述电子公共层上形成连接到所述金属图案的第二电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,形成所述有机发光层的步骤是通过在所述基板的整个表面上方形成发出白光的有机发光材料,或通过在各个子像素上形成分别发出红光、绿光和蓝光的有机发光材料而进行。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其中,在去除所述空穴公共层和所述电子公共层期间同时去除与所述金属图案交叠的所述有机发光层。
9.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述光致抗蚀剂和显影剂由含氟材料形成。
10.根据权利要求6或7所述的方法,其中,所述金属图案和所述第一电极同时由相同材料制成。
11.一种有机发光二极管显示设备,所述有机发光二极管显示设备包括:
阵列基板,其具有显示区域和非显示区域;
多个有机发光单元,其形成在所述基板的显示区域中,其中,所述有机发光单元中的每一个包括:
至少一个薄膜晶体管,
金属图案,其在所述基板上在所述显示区域中;
第一电极,其在所述基板上连接到所述薄膜晶体管;
堤台,其在所述基板上与所述第一电极的一部分和所述金属图案的一部分部分地交叠;
空穴公共层、有机发光层和电子公共层,其依次形成在所述第一电极、所述堤台上方;
第二电极,其部分地覆盖所述堤台并且完全覆盖所述电子公共层,所述第二电极连接到所述金属图案。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示设备,所述有机发光二极管显示设备还包括:
包括有滤色器的滤色器基板,所述滤色器基板面向所述阵列基板。
13.根据权利要求11或12所述的有机发光二极管显示设备,其中,所述金属图案在所述基板上与所述第一电极间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的