[发明专利]有机发光二极管显示设备及其制造方法有效
申请号: | 201310244296.7 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN103515413A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 许峻瑛;尹钟根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制造有机发光二极管显示设备的方法,并且更具体地,涉及一种能够简化制造工艺的制造有机发光二极管显示设备的方法。此外,本发明涉及二极管显示设备。
背景技术
对于作为先进的信息和通信中的核心技术、具体体现屏幕上的多种信息的图像显示设备,在发展具有改进性能的纤薄、重量轻和便携式设备方面不断进步。因此,作为具有减少的重量和体积(重量和体积是阴极射线管(CRT)的缺点)的平板显示设备,通过调整从有机发光层发出的光的量来显示图像的有机发光二极管显示设备,近来受到关注。
有机发光二极管显示设备将电场施加到形成在有机发光层的两端的阳极和阴极,从而将电子和空穴注入并传递到有机发光层中,由此利用电致发光现象,在该电致发光现象中,通过电子和空穴的复合来释放光能。在有机发光层中彼此配对的电子和空穴在从激发态下降到基态时发光。
有机发光二极管显示设备具有纤薄设计并且以比等离子显示面板(PDP)或无机电致发光(EL)显示器更低的驱动电压(例如,大约10V或更少)操作,由此消耗更少的功率。有机发光二极管显示设备由于其在重量和色彩方面的优异性能而备受关注。
下文中,将参照附图描述常规的有机发光二极管显示设备。
图1是例示常规的有机发光二极管显示设备的截面图。
参照图1,常规的有机发光二极管显示设备包括:限定有显示区域和非显示区域的基板10,以及形成在基板10的显示区域中的多个有机发光单元。机发光单元中的每一个包括连接到形成在基板10上的晶体管(未示出)的阳极20、空穴公共层30a、有机发光层40、电子公共层30b和阴极60。
当有机发光单元经由形成在基板10的非显示区域中的焊盘区域(未示出)将电压施加到阳极20和阴极60时,来自阳极20的空穴和来自阴极60的电子被注入到有机发光层40。然后,注入到有机发光层40中的空穴和电子复合以创建在从激发态下降到基态时发光的激发子。
同时,随着有机发光二极管显示设备显示面积的增加,阴极60的电阻增加。特别地,由于在从有机发光层中发出的光通过基板100透射的顶部发射型有机发光二极管显示设备中,阴极60由透明的金属形成,因此阴极60的电阻进一步增加。因此,在常规的有机发光二极管显示设备中,可以通过使用低电阻金属形成金属图案20a并且将金属图案20与阴极60连接来减小阴极60的电阻。
然而,应当使用阴影掩模来形成与阳极20形成在同一层中的金属图案20a、有机发光层40、空穴公共层30a和电子公共层30b,使得有机发光层40、空穴公共层30a和电子公共层30b仅形成在由堤台(bank)50露出的阳极20的一部分上,该堤台50形成为限定子像素的发光区域。因此,需要复杂的工艺和高成本来制造常规的有机发光二极管显示设备。
发明内容
因此,本发明针对一种制造有机发光二极管显示设备的方法,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种能够简化制造工艺并且减少制造成本的制造有机发光二极管显示设备的方法。
本发明的额外的优点、目的和特征一部分将在以下说明书中进行阐述,并且一部分对于本领域普通技术人员而言在研读以下内容后将变得显而易见,或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其它优点可以通过在本书面说明书及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。
通过独立权利要求的特征来实现所述目的。
本发明的主要思想在于提供一种允许在制造期间以非常简单的方式露出金属图案而不需阴影掩模工艺的结构。这是一种基于具体形成的堤台并基于相应地形成的光致抗蚀剂图案的结构,该光致抗蚀剂图案位于金属图案上方。这允许通过剥离工艺容易地去除多层的包括OLED堆叠的分层结构。
特别地,所述目的通过如下制造有机发光二极管显示设备的方法来解决,该方法包括以下步骤:在基板的显示区域中形成薄膜晶体管,所述基板具有显示区域和非显示区域;在所述基板上在所述显示区域中形成金属图案;在所述基板上形成连接到所述薄膜晶体管的第一电极;在所述基板上形成堤台,以露出所述第一电极的一部分和所述金属图案的一部分;形成用于覆盖所述金属图案的光致抗蚀剂图案;在设置有所述第一电极和所述光致抗蚀剂图案的所述基板的整个表面上方依次形成空穴公共层、有机发光层和电子公共层;去除所述光致抗蚀剂图案;以及在所述电子公共层上形成用于连接到所述金属图案的第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的