[发明专利]监视器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成电子器件的方法，所述方法包括：

在工件中形成第一开口和第二开口，所述第一开口比所述第二开口更深；和

在所述第一开口内形成填充材料以形成贯穿过孔的一个部分并且在所述第二开口内形成所述填充材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二开口被置放在所述工件的半导体区域中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件包括半导体晶圆。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件包括在封装剂中包括多个管芯的重构晶圆，并且其中形成第一开口包括在所述封装剂中形成所述第一开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中包括所述填充材料的所述第二开口被用于监视所述贯穿过孔的形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用公共工艺在所述第一开口和所述第二开口中形成所述填充材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中同时地在所述第一开口和所述第二开口中形成所述填充材料。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括测量所述第二开口中的所述填充材料的填充高度。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括基于所述测量改变用于在所述第一开口中形成所述填充材料的时间。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

提供第二工件；和

基于所述测量在所述第二工件的开口内形成填充材料。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括薄化所述工件。

12.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成用于在第一工件中的贯穿过孔的第一开口和用于监视器结构的第二开口，所述第一开口比所述第二开口更深；

在所述第二开口内沉积填充材料直至填充深度；和

使用在所述第二开口内的所述填充深度的测量，在所述第一开口内沉积所述填充材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在于所述第一开口内沉积所述填充材料之后，所述第一开口被所述填充材料部分地填充。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二开口在所述第一工件中形成。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述填充材料在公共工艺步骤中在所述第一开口和所述第二开口内沉积，并且其中基于所述测量停止所述填充材料在所述第一开口内的沉积。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二开口在第二工件中形成。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一工件包括在封装剂中包括多个管芯的重构晶圆，并且其中形成第一开口包括在所述封装剂中形成所述第一开口。

18.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一工件包括半导体晶圆，并且其中形成第一开口包括在所述半导体晶圆中形成所述第一开口。

19.一种电子器件，包括：

置放在工件中的功能性传导结构；和

置放在所述工件中的非功能性监视器结构，其中所述监视器结构被配置用于在监视所述功能性传导结构的制造时使用。

20.根据权利要求19所述的电子器件，其中所述功能性传导结构是置放在所述工件中的贯穿过孔。

21.根据权利要求20所述的电子器件，其中所述功能性传导结构的关键尺度大约与所述监视器结构的关键尺度相同。

22.根据权利要求20所述的电子器件，其中所述功能性传导结构包括具有小于所述功能性传导结构的高度的填充高度的填充材料。

23.根据权利要求22所述的电子器件，其中所述功能性传导结构的填充高度与所述监视器结构的高度的比率是大约10：1到大约2：1。

24.根据权利要求19所述的电子器件，进一步包括置放在所述工件中的多个贯穿过孔，其中所述监视器结构被配置为用于监视所述多个贯穿过孔的制造。

25.根据权利要求24所述的电子器件，其中所述工件包括用于至少一百个所述多个贯穿过孔的至少一个监视器结构。