[发明专利]监视器结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及电子器件，并且更加具体地涉及监视器结构及其其形成方法。

背景技术

在很多电子和其它应用中使用半导体器件。半导体器件可以包括在半导体晶圆上形成的集成电路。可替代地，半导体器件可以被形成为单片器件例如分立器件。通过在半导体晶圆之上沉积很多类型的材料薄膜、图案化材料薄膜、掺杂半导体晶圆的选择性区域和其它工艺而在半导体晶圆上形成半导体器件。

在传统的半导体制造工艺中，在单一晶圆内和/或之上制造大量的半导体器件。半导体器件可以包括用于通过硅芯片的信息或者电力传送并且用于连接到芯片后侧的一个或者多个贯穿硅过孔。特别地，具有前侧和后侧金属化层的硅插入物呈现由贯穿硅过孔制造的定制的贯穿触点。每一个半导体器件可以包括多个贯穿过孔。类似地，包括这些半导体器件的半导体封装也可以包括多个贯穿过孔。

然而，形成贯穿过孔引入了各种工艺复杂性，这能够导致显著的成品率损失。

发明内容

利用本发明的示意性实施例，基本上解决或者规避了这些和其它问题，并且基本上实现了技术优点。

根据本发明的一个实施例，一种形成电子器件的方法包括在工件中形成第一开口和第二开口。第一开口比第二开口更深。该方法进一步包括在第一开口内形成填充材料以形成贯穿过孔的一个部分并且在第二开口内形成填充材料。

根据本发明的一个实施例，一种形成半导体器件的方法包括形成在第一工件中用于贯穿过孔的第一开口和用于监视器结构的第二开口。第一开口比第二开口更深。该方法进一步包括在第二开口内沉积填充材料直至填充深度并且使用在第二开口内的填充深度的测量，并且在第一开口内沉积填充材料。

根据本发明的一个实施例，一种电子器件包括置放在工件中的功能性传导结构和置放在工件中的非功能性监视器结构。该监视器结构被配置用于在监视功能性传导结构的制造时使用。

根据本发明的一个实施例，一种器件包括电子芯片、邻近电子芯片的封装剂和置放在封装剂中的传导结构。该传导结构不被耦接到电子芯片。封装剂具有与电子芯片大约相同的厚度。

前面已经相当一般性地概述了本发明的一个实施例的特征，从而随后的、本发明的详细描述可以得到更好的理解。将在下文中描述本发明的实施例的另外的特征和优点，这形成本发明的权利要求的主题。本领域技术人员应该理解，可以容易地利用所公开的概念和具体实施例作为用于修改或者设计用于实现本发明的相同意图的其它结构或者工艺的基础。本领域技术人员还应该认识到，这种等价构造并不偏离如在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围。

附图说明

为了更加完全地理解本发明及其优点，现在对结合附图进行的以下说明进行参考，其中：

图1，包括图1A–1B，示意根据本发明的一个实施例的半导体器件，其中图1A示意顶截面视图并且其中图1B示意横截面视图；

图2，包括图2A–2C，示意根据本发明的一个实施例的可替代半导体器件，其中图2A示意顶截面视图并且其中图2B和2C示意横截面视图；

图3，包括图3A–3C，示意根据本发明的一个实施例的可替代半导体器件，其中图3A示意顶截面视图并且其中图3B和图3C示意横截面视图；

图4示意根据本发明的一个实施例的半导体器件的顶截面视图；

图5，包括图5A和5B，示意根据本发明的一个实施例的半导体封装，其中图5A示意顶截面视图并且其中图5B示意横截面视图；

图6，包括图6A和6B，示意根据本发明的实施例的贯穿过孔和监视器结构的放大横截面；

图7，包括图7A–7I，示意根据本发明的实施例的、在各种制造阶段期间的半导体器件；并且

图8示意在根据本发明的实施例的部分工艺流程期间的操作。

在不同的图中的相应的数字和符号一般地引用相应的部分，除非另有指示。图被绘制成清楚地示意实施例的有关方面而并不是必要地按照比例绘制的。

具体实施方式

在下面详细地讨论了各种实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供能够在很多种具体环境中体现的很多可应用的创造性概念。所讨论的具体实施例仅仅示意用于制造和使用本发明的具体方式，而非限制本发明的范围。

将使用图1描述半导体器件的结构实施例。将使用图2-6描述半导体器件的进一步的结构实施例。将使用图7和8描述制造半导体器件的各种方法。

图1，包括图1A–1B，示意根据本发明的一个实施例的半导体器件，其中图1A示意顶截面视图并且其中图1B示意横截面视图。