[发明专利]有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机硅树脂组合物，其特征在于，含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

2.一种有机硅树脂组合物，其特征在于，含有第1聚硅氧烷和第2聚硅氧烷；

第1聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1个可加成取代基，

第2聚硅氧烷含有：通过活性能量射线能够加成且与所述第1聚硅氧烷的所述可加成取代基构成1对的至少1个可加成取代基。

3.根据权利要求1所述的有机硅树脂组合物，其特征在于，所述1对可加成取代基为自由下述组合构成的组中选择的至少1个组合：

氢化甲硅烷基与含烯属不饱和基团的基团的组合、

含（甲基）丙烯酰基的基团相互之间的组合、

含环氧基的基团相互之间的组合、以及

巯基与含烯属不饱和基团的基团的组合。

4.根据权利要求1所述的有机硅树脂组合物，其特征在于，所述1对可缩合取代基为自由下述组合构成的组中选择的至少1个组合：

羟基与选自由羟基、烷氧基、酰氧基、氨基、烷氨基、链烯基氧基和卤素原子构成的组中的至少1个取代基的组合、以及

氢原子与选自羟基和烷氧基的至少1个取代基的组合。

5.根据权利要求1所述的有机硅树脂组合物，其特征在于，还含有加成催化剂，

所述加成催化剂为铂-环戊二烯基络合物。

6.一种半固化体片，其特征在于，通过涂布有机硅树脂组合物并加热而得到，

所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

7.一种有机硅固化体的制造方法，其特征在于，具备：

加热有机硅树脂组合物，得到有机硅半固化体的工序，以及

对所述有机硅半固化体照射活性能量射线使其固化的工序，

所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

8.根据权利要求7所述的有机硅固化体的制造方法，其特征在于，在所述使有机硅半固化体固化的工序中，进一步加热所述有机硅半固化体。

9.根据权利要求7所述的有机硅固化体的制造方法，其特征在于，在所述得到有机硅半固化体的工序中，在40℃～180℃下对所述有机硅树脂组合物加热0.1分钟～180分钟。

10.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，具备：

加热有机硅树脂组合物而得到有机硅半固化体的工序，

利用所述有机硅树脂组合物或所述有机硅半固化体覆盖发光二极管元件的覆盖工序，以及

通过对所述有机硅半固化体照射活性能量射线使其固化，形成由有机硅固化体构成的封装层，通过所述封装层将所述发光二极管元件封装的封装工序，

所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

11.根据权利要求10所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还具备在基板上安装所述发光二极管元件的安装工序，

在所述安装工序之后实施所述覆盖工序。

12.根据权利要求10所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还具备在基板上安装所述发光二极管元件的安装工序，

在所述封装工序之后实施所述安装工序。

13.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，具备：

通过半固化体片埋设发光二极管元件的埋设工序，以及

通过对所述半固化体片照射活性能量射线使其固化，形成由有机硅固化体构成的封装层，通过所述封装层将所述发光二极管元件封装的封装工序，

所述半固化体片是通过涂布有机硅树脂组合物并加热而得到的，所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。