[发明专利]有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机硅树脂组合物、半固化体片、有机硅固化体的制造方法、发光二极管装置及其制造方法，详细而言，涉及发光二极管装置的制造方法、用于其的有机硅固化体的制造方法、用于其的半固化体片、有机硅树脂组合物、以及通过发光二极管装置的制造方法得到的发光二极管装置。

背景技术

一直以来，发光二极管装置的耗电量低且寿命长，被用于各种光学用途。发光二极管装置具备发光二极管元件，所述发光二极管元件通过由有机硅树脂组合物的固化体（有机硅固化体）构成的封装层（封装剂）封装。

例如，提出了包含具有与硅原子键合的链烯基和与硅原子键合的芳基的第1有机聚硅氧烷（其中，具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷除外）、以及具有与硅原子键合的氢原子和与硅原子键合的芳基的第2有机聚硅氧烷的光半导体装置用封装剂（例如参照下述日本特开2012-007136号公报。）。

日本特开2012-007136号公报中提出了通过如下的阶段固化（step cure）的方式形成用于封装发光元件的固化体：将光半导体装置用封装剂注入包围发光元件的壳材料（housing material）内，随后暂时在低温下使其半固化（B阶段（stage）化），随后在高温下使其固化（C阶段化）。

发明内容

然而，根据日本特开2012-007136号公报提出的阶段固化方式，将B阶段的光半导体装置用封装剂进行C阶段化所需要的时间长，因而存在发光二极管装置的生产效率降低的问题。

本发明的目的在于提供生产效率优异的发光二极管装置的制造方法，用于其的、能够缩短固化所需要的时间的有机硅固化体的制造方法，用于其的半固化体片、有机硅树脂组合物，以及通过发光二极管装置的制造方法得到的发光二极管装置。

本发明的有机硅树脂组合物的特征在于，含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

另外，本发明的有机硅树脂组合物的特征在于，含有第1聚硅氧烷和第2聚硅氧烷；第1聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1个可加成取代基，第2聚硅氧烷含有：通过活性能量射线能够加成且与所述第1聚硅氧烷的所述可加成取代基构成1对的至少1个可加成取代基。

另外，优选本发明的有机硅树脂组合物中的所述1对可加成取代基为自由下述组合构成的组中选择的至少1个组合：氢化甲硅烷基与含烯属不饱和基团的基团的组合、含（甲基）丙烯酰基的基团相互之间的组合、含环氧基的基团相互之间的组合、以及巯基与含烯属不饱和基团的基团的组合。

另外，优选本发明的有机硅树脂组合物中的所述1对可缩合取代基为自由下述组合构成的组中选择的至少1个组合：羟基与选自由羟基、烷氧基、酰氧基、氨基、烷氨基、链烯基氧基和卤素原子构成的组中的至少1个取代基的组合、以及氢原子与选自羟基和烷氧基的至少1个取代基的组合。

另外，优选本发明的有机硅树脂组合物还含有加成催化剂，所述加成催化剂为铂-环戊二烯基络合物。

另外，本发明的半固化体片的特征在于，通过涂布上述有机硅树脂组合物并加热而得到，所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

另外，本发明的有机硅固化体的制造方法的特征在于，具备加热上述有机硅树脂组合物而得到有机硅半固化体的工序，以及对所述有机硅半固化体照射活性能量射线使其固化的工序，所述有机硅树脂组合物含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷含有：通过加热能够缩合的至少1对可缩合取代基和通过活性能量射线能够加成的至少1对可加成取代基。

另外，对于有机硅固化体的制造方法，优选在所述使有机硅半固化体固化的工序中，进一步加热所述有机硅半固化体。

另外，对于有机硅固化体的制造方法，优选在所述得到有机硅半固化体的工序中，在40℃～180℃下对所述有机硅树脂组合物加热0.1分钟～180分钟。