[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：

提供一基板；

在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；

提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；

去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；

对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及

去除该光阻层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该半导体层包括非晶氧化半导体材料。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该透明导电层为铟锡氧化物薄膜。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该光罩为半色调网点光罩。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，透明导电层位于金属层与半导体层之间。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，在步骤“去除该光阻层”之后，进一步包括如下步骤：形成一个保护层，以覆盖该金属层、透明导电层以及暴露在外的蚀刻阻挡层。