[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法。

背景技术

现有的薄膜晶体管基板的制造方法一般包括如下步骤：步骤一：形成栅极金属层；步骤二：形成栅极电极；步骤三：形成栅极绝缘层；步骤四：形成一个半导体层在该栅极绝缘层上；步骤五：形成一个蚀刻阻挡层在该半导体层上；步骤六：形成一个透明导电层；步骤七：形成一个像素电极；步骤八：形成源/漏极电极；步骤九：形成一钝化层的图案层在该像素电极、源/漏极电极上。

该薄膜晶体管基板需要采用多道光罩制程，而光罩制程通常较为复杂且成本较高，从而使得制造成本较高。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种制程简单的薄膜晶体管基板的制造方法。

一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。

在上述薄膜晶体管基板的制造方法中，源极、漏极的形成以及像素电极的形成只需要一次光阻层，从而节省了一次光阻层的使用，制程简化，有效地降低了成本。进一步地，由于透明导电层是位于金属层与栅极绝缘层之间，因此可阻挡金属层的金属元素扩散到栅极绝缘层内，从而提升产品的品质。

附图说明

图1到图7是本发明实施方式提供的薄膜晶体管基板的制造方法的剖面示意图。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

图1到图6所示为本发明实施例提供的薄膜晶体管基板100的制造方法。该薄膜晶体管基板100的制造方法包括如下步骤：

步骤一：请参见图1，提供一个基板10。该基板10为绝缘基板，其可以为玻璃、石英或者陶瓷等绝缘材料。在本实施例中，该基板10为玻璃基板。

步骤二：在该基板10上依次形成栅极20、栅极绝缘层30、半导体层40、蚀刻阻挡层50、透明导电层60及金属层70。其中，该栅极绝缘层30包括氮化硅及/或氧化硅。该透明导电层60为铟锡氧化物薄膜(Indium Tin Oxide, ITO)。该栅极20通过蚀刻形成。在本实施例中，该半导体层40也通过蚀除形成，其为岛状，且位于该栅极20的正上方。该半导体层40的材料包括非晶氧化半导体材料(Amorphous Oxide Semiconductor, AOS)。

步骤三：请参见图2与图3，提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层70上方。之后，利用一光罩（图未示）对光阻层80进行曝光显影，以形成图案化光阻层80，该图案化光阻层80邻近半导体层40的部分较厚，远离半导体层40的部分较薄，再对该金属层70进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层50。在本实施例中，该光罩为半色调网点光罩(Halftone mask)。该金属层70的位于该半导体层40上方的部分暴露在外，位于该半导体层40上方的部分被蚀刻掉，从而使部分蚀刻阻挡层50暴露在外。

步骤四：请参见图4，去除剩余的较薄部分的图案化光阻层80，以暴露出部分金属层70。在本实施例中，以干蚀刻的方式去除部分剩余图案化光阻层80。

步骤五：请一并参见图5，对暴露在外的金属层70进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层60。在本实施例中，暴露在外的该透明导电层60作为该薄膜晶体管基板的像素电极。

步骤六：请一并参见图6，去除该光阻层80。在本实施例中，位于该半导体层40一侧的该金属层70且与该像素电极相邻的部分作为该薄膜晶体管基板的漏极，位于该半导体层40的另一侧的该金属层70作为该薄膜晶体基板的源极。

步骤七：请参见图7，形成一个保护层90，覆盖该金属层70、透明导电层60以及暴露在外的蚀刻阻挡层50，从而形成薄膜晶体管基板100。

在上述薄膜晶体管基板100的制造方法中，源极、漏极的形成以及像素电极的形成只需要一个光阻层，从而节省了一次光阻层的使用，制程简化，有效地降低了成本。

此外，由于透明导电层60是位于金属层70与栅极绝缘层30之间，因此可阻挡金属层70的金属元素扩散到栅极绝缘层30内，从而提升产品的品质。

可以理解的是，本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。