[发明专利]标准单元版图的生成方法有效

专利信息
申请号: 201310256440.9 申请日: 2013-06-25
公开(公告)号: CN103310066A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 吴玉平;刘磊;陈天佐;吕志强 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 标准 单元 版图 生成 方法
【权利要求书】:

1.一种标准单元版图的生成方法,其特征在于,所述方法包括:

根据有源区几何图形内栅阵列的栅长尺寸生成所述有源区几何图形,其中所述栅阵列包括若干个栅;

根据所述标准单元版图内各个所述有源区几何图形内的栅的位置顺序以及所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系生成有源区接触孔阵列和所述栅阵列,其中所述有源区接触孔阵列包括若干个有源区接触孔组,所述有源区几何图形内相邻两个栅之间的所有有源区接触孔构成一个所述有源区接触孔组;

根据所述有源区接触孔阵列对应的第一类引出图形与该有源区接触孔阵列的相对位置尺寸生成所述第一类引出图形;

根据所述有源区接触孔阵列对应的第一类引出图形生成跳层通孔阵列,所述跳层通孔阵列包括若干个跳层通孔;

根据所述栅阵列与所述有源区几何图形的相对位置尺寸以及所述第一类引出图形生成栅接触孔阵列,所述栅接触孔阵列包括若干个栅接触孔;

生成所述跳层通孔阵列和所述栅接触孔阵列对应的第二类引出图形;

生成所述标准单元版图的引出端口阵列对应的第三类引出图形,其中所述引出端口阵列包括若干个引出端口。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据有源区几何图形内栅阵列的栅长尺寸所述有源区几何图形前,所述方法还包括获取所述有源区接触孔阵列与所述有源区几何图形的边缘的相对位置尺寸,包括以下步骤:

获取所述有源区接触孔阵列中最左侧的有源区接触组的左边沿距离所述有源区几何图形的左侧边缘的距离;

获取所述有源区接触孔阵列中最右侧的有源区接触组的右边沿距离所述有源区几何图形的右侧边缘的距离;

获取所述有源区接触孔阵列中最上侧的有源区接触孔组的上边沿距离所述有源区几何图形的上侧边缘的距离;

获取所述有源区接触孔阵列中最下侧的有源区接触孔组的下边沿距离所述有源区几何图形的下侧边缘的距离。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述标准单元版图内各个所述有源区几何图形内的栅的位置顺序以及所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系生成所述有源区接触孔阵列和栅阵列前,所述方法还包括获取所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系,包括以下步骤:

获取相邻两个所述栅之间的距离;

判断相邻两个所述栅之间是否存在所述有源区接触孔组;

如果是,获取该有源区接触孔组的左边沿距与该左边沿相邻的栅之间的距离以及所述有源区接触孔组的右边沿距与该右边沿相邻的栅之间的距离;

获取所述有源区接触孔组的图形参数,所述图形参数为所述有源区接触孔组的整体尺寸参数;

获取所述有源区接触孔组的上边沿与所述有源区几何图形的上边缘之间的距离;

获取所述有源区接触孔组的下边沿与所述有源区几何图形的下边缘之间的距离。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述获取所述有源区接触孔组的图形参数,包括:

获取所述有源区接触孔组中的各个接触孔的横向尺寸和纵向尺寸;

获取所述有源区接触孔组中相邻两个有源区接触孔之间的横向间距和纵向间距;

获取所述有源区接触孔组中的所述有源区接触孔的行数目和列数目。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述标准单元版图内各个所述有源区几何图形内的栅的位置顺序以及所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系生成所述有源区接触孔阵列和栅阵列前,所述方法还包括:

获取所述栅阵列中最左侧的栅的左边沿与所述有源区几何图形的左侧边缘之间的距离;

获取所述栅阵列中最右侧的栅的右边沿与所述有源区几何图形的右侧边缘之间的距离;

获取所述栅阵列中最上侧的栅的上边沿与所述有源区几何图形的上侧边缘之间的距离;

获取所述栅阵列中最下侧的栅的下边沿与所述有源区几何图形的下侧边缘之间的距离。

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