[发明专利]标准单元版图的生成方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种标准单元版图的生成方法。

背景技术

随着集成电路制造工艺的不断进步，器件的特征尺寸不断减小，器件的泄漏电流不断增加，致使整个芯片的功耗从逻辑电平变化的动态电流引起的功耗占主导地位逐步发展为静态泄漏电流的功耗占主导地位。芯片功耗的上升引起芯片温度的上升，芯片温度的上升引起泄漏电流呈指数上升，进而引起芯片功耗的上升，如此循环，导致芯片功耗较大。

集成电路不断向小型化方向发展，要求芯片必须满足低功耗。现有的低功耗设计技术主要是多阈值逻辑门和功率控制电路等。其中，多阈值逻辑门主要是在不同的应用点采用不同阈值的逻辑门以确保电路性能得到满足的情况下门内器件的漏电流最小；功率控制电路主要是在电路不需要工作时，控制电路截断对应功能电路的电源，使其泄漏电流为零，实现低功耗。

但是，现有的低功耗设计（如多阈值逻辑门和功率控制电路等）的栅长一般是固定的，由此得到的标准单元版图结构图形也是固定的，没有余量，标准单元版图结构图形一旦生成就无法调整，因此在很多情况下无法根据精确的电路性能要求形成最合适的标准单元版图结构图形，进而无法从栅长优化的角度制成低功耗集成电路设计。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种栅长参数化的标准单元版图的生成方法，以解决现有技术中无法根据精确的电路性能要求形成最合适的标准单元版图图形的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种标准单元版图的生成方法，所述方法包括：

根据有源区几何图形内栅阵列的栅长尺寸生成所述有源区几何图形，其中所述栅阵列包括若干个栅；

根据所述标准单元版图内各个所述有源区几何图形内的栅的位置顺序以及所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系生成有源区接触孔阵列和所述栅阵列，其中所述有源区接触孔阵列包括若干个有源区接触孔组，所述有源区几何图形内相邻两个栅之间的所有有源区接触孔构成一个所述有源区接触孔组；

根据所述有源区接触孔阵列对应的第一类引出图形与该有源区接触孔阵列的相对位置尺寸生成所述第一类引出图形；

根据所述有源区接触孔阵列对应的第一类引出图形生成跳层通孔阵列，所述跳层通孔阵列包括若干个跳层通孔；

根据所述栅阵列与所述有源区几何图形的相对位置尺寸以及所述第一类引出图形生成栅接触孔阵列，所述栅接触孔阵列包括若干个栅接触孔；

生成所述跳层通孔阵列和所述栅接触孔阵列对应的第二类引出图形；

生成所述标准单元版图的引出端口阵列对应的第三类引出图形，其中所述引出端口阵列包括若干个引出端口。

优选地，所述根据有源区几何图形内栅阵列的栅长尺寸所述有源区几何图形前，所述方法还包括获取所述有源区接触孔阵列与所述有源区几何图形的边缘的相对位置尺寸，包括以下步骤：

获取所述有源区接触孔阵列中最左侧的有源区接触组的左边沿距离所述有源区几何图形的左侧边缘的距离；

获取所述有源区接触孔阵列中最右侧的有源区接触组的右边沿距离所述有源区几何图形的右侧边缘的距离；

获取所述有源区接触孔阵列中最上侧的有源区接触孔组的上边沿距离所述有源区几何图形的上侧边缘的距离；

获取所述有源区接触孔阵列中最下侧的有源区接触孔组的下边沿距离所述有源区几何图形的下侧边缘的距离。

优选地，所述根据所述标准单元版图内各个所述有源区几何图形内的栅的位置顺序以及所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系生成所述有源区接触孔阵列和栅阵列前，所述方法还包括获取所述标准单元版图内相邻栅之间的分隔关系，包括以下步骤：

获取相邻两个所述栅之间的距离；

判断相邻两个所述栅之间是否存在所述有源区接触孔组；

如果是，获取该有源区接触孔组的左边沿距与该左边沿相邻的栅之间的距离以及所述有源区接触孔组的右边沿距与该右边沿相邻的栅之间的距离；

获取所述有源区接触孔组的图形参数，所述图形参数为所述有源区接触孔组的整体尺寸参数；

获取所述有源区接触孔组的上边沿与所述有源区几何图形的上边缘之间的距离；

获取所述有源区接触孔组的下边沿与所述有源区几何图形的下边缘之间的距离。

优选地，所述获取所述有源区接触孔组的图形参数，包括：

获取所述有源区接触孔组中的各个接触孔的横向尺寸和纵向尺寸；

获取所述有源区接触孔组中相邻两个有源区接触孔之间的横向间距和纵向间距；