[发明专利]栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201310258301.X | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311113A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 徐莹;周飞;周维;魏峥颖 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 形成 方法 | ||
1.一种栅极的形成方法，包括步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上依次形成栅介质层、多晶硅层；
对所述多晶硅层进行预注入；
在所述多晶硅层表面依次形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第一掩膜层比第二掩膜层致密；
依次刻蚀所述第二掩膜层、第一掩膜层、多晶硅层以及栅介质层形成栅极。
2.如权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层材质为低温氧化物。
3.如权利要求2所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层由四乙氧基硅烷和臭氧反应形成。
4.如权利要求3所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层采用负压化学气相沉淀工艺形成。
5.如权利要求4所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的形成温度范围是150℃～250℃，压力范围是30torr～50torr。
6.如权利要求5所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度范围为250埃～350埃。
7.如权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层材质为电浆增强型二氧化硅。
8.如权利要求7所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层由硅烷与一氧化二氮反应形成。
9.如权利要求8所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层采用加强的等离子体化学气相沉淀工艺形成。
10.如权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的形成温度范围是350℃～450℃，压力范围是5torr～15torr。
11.如权利要求10所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度范围为50埃～150埃。
12.如权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底中有浅沟槽隔离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
