[发明专利]一种功率半导体芯片栅电阻

权利要求书

1.一种功率半导体芯片栅电阻，其特征在于，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻至少包括两个分电阻，每个所述分电阻的一端连接所述主栅极区，另一端连接所述栅极圈。

2.根据权利要求1所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻均匀分布在所述栅电阻区内。

3.根据权利要求1或2所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻为长条状结构。

4.根据权利要求3所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻长边方向的两端头分别连接所述主栅极区和所述栅极圈，所述分电阻的宽边的宽度在沿所述主栅极区向所述栅极圈延伸的方向上恒定。

5.根据权利要求3所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻长边方向的两端头分别连接所述主栅极区和所述栅极圈，所述分电阻的宽边的宽度在沿所述主栅极区向所述栅极圈延伸的方向上逐渐增大。

6.根据权利要求1或2所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻的形状为圆形或多边形，所述分电阻的一端通过第一金属连线与所述主栅极区连接，另一端通过第二金属连线与所述栅极圈连接。

7.根据权利要求1或2所述的栅电阻，其特征在于，所述分电阻呈非闭合环状结构，所述分电阻的内侧通过第一金属连线与所述主栅极区连接，所述分电阻的外侧通过第二金属连线与所述栅极圈连接，其中，所述第一金属连线和所述第二金属连线相间分布。

8.根据权利要求7所述的栅电阻，其特征在于，每个所述分电阻至少包括并联的第一子电阻和第二子电阻。

9.根据权利要求8所述的栅电阻，其特征在于，所述第一子电阻和所述第二子电阻呈层间重叠分布。

10.一种功率半导体芯片栅电阻，其特征在于，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻包括呈非闭合环状结构的至少一个第一电阻段和至少一个第二电阻段，且所述第一电阻段和所述第二电阻段呈层间互补分布，所述第一电阻段的的内侧通过若干条第一金属连线与所述主栅极区连接，所述第二电阻段的外侧通过若干条第二金属连线与所述栅极圈连接。

11.一种功率半导体芯片栅电阻，其特征在于，所述栅电阻位于芯片的栅电阻区内，所述栅电阻区位于主栅极区和栅极圈之间，所述主栅极区和所述栅极圈位于芯片元胞区内，且所述栅极圈包围所述主栅极区，所述栅电阻包括一个包围所述主栅极区的呈闭合环状结构的第一电阻，所述第一电阻的内侧通过若干条第一金属连线与所述主栅极区连接，所述第一电阻的外侧通过若干条第二金属连线与所述栅极圈连接。

12.根据权利要求11所述的栅电阻，其特征在于，所述第一金属连线和所述第二金属连线相间分布。

13.根据权利要求11或12所述的栅电阻，其特征在于，所述栅电阻还包括至少一个位于所述第一分电阻的内侧或外侧的呈闭合环状结构的第二电阻，位于最靠近所述主栅极区的分电阻的内侧通过若干条第一金属连线与所述主栅极区连接，位于最靠近所述栅极圈的分电阻的外侧通过若干条第二金属连线与所述栅极圈连接，相邻的所述分电阻之间通过若干条第三金属连线连接。

14.根据权利要求13所述的栅电阻，其特征在于，所述第一金属连线、所述第二金属连线和所述第三金属连线均匀相间分布。