[发明专利]OLED像素驱动方法及用于该方法的OLED像素驱动电路

权利要求书

1.OLED像素驱动方法，其特征在于：使OLED发光单元只在开态和关态两种状态下转换，且在OLED发光单元处于开态时，流过该OLED发光单元的电流是恒定的；对OLED发光单元的灰度调节通过控制该OLED发光单元开态发光时间来实现。

2.用于权利要求1方法的OLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一晶体管（M1）、第二晶体管（M2）、第三晶体管（M3）、第四晶体管（M4）、存储电容（CS）以及OLED发光单元，其中的第一晶体管（M1）为P型晶体管，第二晶体管（M2）为N型晶体管，所述第一晶体管（M1）与第二晶体管（M2）构成反相器，第三晶体管（M3）和第四晶体管（M4）构成OLED像素驱动电路的开关；第一晶体管（M1）的源极和第三晶体管（M3）的源极同时与外部电源相连，第一晶体管（M1）的漏极同时与OLED发光单元的阳极和第二晶体管（M2）的漏极相连，OLED发光单元的阴极和第二晶体管（M2）的源极接地，第三晶体管（M3）的漏极、第一晶体管（M1）的栅极以及第二晶体管（M2）的栅极同时与存储电容（CS）的第一端相连，存储电容（CS）的第二端与第四晶体管（M4）的漏极相连，第三晶体管（M3）的栅极与SELECT信号线相连，第四晶体管（M4）的源极与DATA信号线相连，第四晶体管（M4）的栅极与SCAN信号线相连。

3.如权利要求2所述的OLED像素驱动电路，其特征在于：所述第一晶体管（M1）、第二晶体管（M2）、第三晶体（M3）和第四晶体管（M4）分别选自MOS场效应管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。