[发明专利]OLED像素驱动方法及用于该方法的OLED像素驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种OLED像素驱动方法及用于该方法的OLED像素驱动电路。

背景技术

有源矩阵驱动的有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED）由于具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、能效高、超轻超薄等优点，具有巨大的应用前景。目前大多数的OLED的像素驱动电路都是通过改变施加在OLED发光单元上的电压或改变流过OLED发光单元的电流来实现灰度调节。在AMOLED中，亮度的实现是由流过OLED自身的电流决定的，上述模拟驱动（即电压驱动和电流驱动）方法由于难以实现精确的电流控制，因而不能对OLED发光单元进行精确的灰度调节，也就无法解决显示屏均匀性的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种可对灰度进行精确调节的OLED像素驱动方法及用于该方法的OLED像素驱动电路。

本发明的OLED像素驱动方法，是使OLED发光单元只在开态和关态两种状态下转换，且在OLED发光单元处于开态时，流过该OLED发光单元的电流是恒定的；对OLED发光单元的灰度调节通过控制该OLED发光单元开态发光时间来实现。根据人眼的特性，眼睛感受到的亮度不仅与发光体的发光强度有关，还与发光的持续时间有关，有鉴于此，本发明的上述方法对OLED发光单元的灰度调节创造性的采取了通过控制该OLED发光单元开态发光来实现的，而不再是靠控制流过OLED发光单元的电流的大小来实现，由于对OLED发光单元开态发光时间的控制更为容易和精确，因此，本发明的OLED像素驱动方法能够对灰度进行更加精确的调节，改善显示屏均匀性。

用于上述方法的OLED像素驱动电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体、第四晶体管、存储电容以及OLED发光单元，其中的第一晶体管为P型晶体管，第二晶体管为N型晶体管，所述第一晶体管与第二晶体管构成反相器，第三晶体管和第四晶体管构成OLED像素驱动电路的开关；第一晶体管的源极和第三晶体管的源极同时与外部电源相连，第一晶体管的漏极同时与OLED发光单元的阳极和第二晶体管的漏极相连，OLED发光单元的阴极和第二晶体管的源极接地，第三晶体管的漏极、第一晶体管的栅极以及第二晶体管的栅极同时与存储电容的第一端相连，存储电容的第二端与第四晶体管的漏极相连，第三晶体管的栅极与SELECT信号线相连，第四晶体管的源极与DATA信号线相连，第四晶体管的栅极与SCAN信号线相连。该OLED像素驱动电路中的OLED发光单元发光时，流过该OLED发光单元的电流受第一晶体管阈值电压漂移的影响极小，可以忽略不计，因此能够保证OLED发光单元有恒定的电流流过，增加了稳定性。

所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体和第四晶体管分别选自MOS场效应管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管中的任意一种。

下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的说明。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1为本发明实施例一中像素驱动电路结构示意图。

图2为实施例一所采用的的亮度-电流-电压的特性曲线。

图3是本发明实施例一中开启场各扫描信号的时序控制图。

图4是本发明实施例一中关闭场各扫描信号的时序控制图。

图5为本发明实施例二中像素驱动电路结构示意图。

图6是本发明实施例二中开启场各扫描信号的时序控制图。

图7是本发明实施例二中关闭场各扫描信号的时序控制图。

图8为本发明实施例三中像素驱动电路结构示意图。

图9是本发明实施例三中开启场各扫描信号的时序控制图。

图10是本发明实施例三中关闭场各扫描信号的时序控制图。

图11为本发明施实例四中像素驱动电路结构示意图。

图12是本发明施实例四中开启场各扫描信号的时序控制图。

图13是本发明施实例四中关闭场各扫描信号的时序控制图。

具体实施方式

实施例一

实施例一的第一优选方式：