[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310260564.4 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253158B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李志隆;施博理 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
于一基板上形成栅极，
在所述的基板上形成栅极绝缘层，以覆盖所述的栅极；
于所述的栅极绝缘层上形成金属氧化物层，位于所述栅极的上方，包括源极区、通道区和漏极区；
于所述的金属氧化物层上形成蚀刻阻挡层，覆盖所述金属氧化物层，并包括两个彼此分离的接触孔；
于所述的蚀刻阻挡层上形成源极和漏极，分别位于所述金属氧化物层的两侧，并分别通过所述蚀刻阻挡层的接触孔与所述金属氧化物层接触；
以所述源极和所述漏极为掩模遮蔽所述源极区和漏极区并以所述蚀刻阻挡层遮蔽所述通道区对所述金属氧化物层实施一表面处理，使所述金属氧化物层通道区的氧浓度高于所述源极和所述漏极区的氧浓度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述通道区的氧空缺比例低于所述源极区和所述漏极区的氧空缺比例。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述源极区位于所述源极下方，所述源极区位于所述源极下方，所述漏极区位于所述漏极下方，所述通道区位于所述源极区和所述漏极区之间。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述表面处理为利用氧离子轰击处理。
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