[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，特别是一种包含金属氧化物层的薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

由氧化锌或铟镓锌氧化物（Indium gallium zinc oxide，IGZO）等制成的金属氧化物层作为半导体器件的活性层呈现出了优良的特性。近年来，已经进行了将金属氧化物应用于薄膜晶体管（TFT）、发光元件或透明导电膜的研发。

例如，与包含非晶硅作为沟道的现有的TFT相比，包含上述金属氧化物的TFT的电子迁移率较高并且电气特性较好。但是，上述金属氧化物的耐热性不好，由于在TFT的制造过程中进行的热处理会使氧等脱附从而会形成晶格缺陷。该晶格缺陷会导致形成点穴上的浅的杂质能级，并导致上述金属氧化物层的低阻抗性，从而使漏电流增大，并且TFT的电性不够稳定。

发明内容

为此，本发明的目的在于提供一种能够获得稳定电性的薄膜晶体管及其制造方法。

本发明提供一种薄膜晶体管，配置于一基板上，所述薄膜晶体管包括：栅极，配置于所述的基板上；栅极绝缘层，配置于所述的基板上以覆盖所述的栅极；金属氧化物层，配置于所述的栅极绝缘层上，其中所述的金属氧化物层包括源极区、漏极区以及沟道区，且所述沟道区的氧浓度高于所述源极区和漏极区的氧浓度；蚀刻阻挡层，配置于所述金属氧化物层上方，并包括两个接触孔，分别暴露出源极区和漏极区；以及源极和漏极，分别位于所述金属氧化物层的两侧，并分别透过两个接触孔与源极区和漏极区电连接。

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于一基板上形成栅极，在所述的基板上形成栅极绝缘层，以覆盖所述的栅极；于所述的栅极绝缘层上形成金属氧化物层，位于所述栅极的上方，包括源极区、通道区和漏极区；于所述的金属氧化物层上形成蚀刻阻挡层，覆盖所述金属氧化物层，并包括两个彼此分离的接触孔；于所述的蚀刻阻挡层上形成源极和漏极，分别位于所述金属氧化物层的两侧，并分别通过所述蚀刻阻挡层的接触孔与所述金属氧化物层接触；以所述源极和所述漏极为掩模实施一表面处理，使所述金属氧化物层通道区的氧浓度高于所述源极和所述漏极区的氧浓度。

总之，本发明通过在金属氧化物层上方设置一蚀刻阻挡层，并在源极和漏极制作完成后，再对该金属氧化物层进行表面处理，可以增加通道区的氧化程度，并获得较好的电性稳定度。同时，该蚀刻阻挡层可以保护该通道区，避免直接遭受氧离子轰击而受到破坏。

附图说明

图1至图5为本发明提供的制造薄膜晶体管的方法的示意图。

图6为本发明提供的包含薄膜晶体管的液晶显示器的剖示图。

主要元件符号说明