[发明专利]芯片封装、芯片布置、电路板以及用于制造芯片封装的方法在审

专利信息
申请号: 201310261907.9 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN103515336A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: M.鲍尔;A.海默尔;A.克斯勒;W.肖贝尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;王忠忠
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 布置 电路板 以及 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1. 一种芯片封装,包括:

芯片载体;

芯片,设置在芯片载体顶侧上并被电连接到芯片载体顶侧;

电绝缘材料,设置在芯片上并至少部分地围绕该芯片;

一个或多个导电接触区,在电绝缘材料中形成并与芯片电连接;

另一电绝缘材料,设置在芯片载体底侧上;

其中,芯片载体底侧上的导电接触区从所述另一电绝缘材料释放。

2. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述芯片载体包括引线框架载体。

3. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述芯片载体包括导电材料,该导电材料包括来自下组材料的至少一个,该组材料由以下各项组成:铜、镍、铁、银、金、钯、磷、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金、磷的合金。

4. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述芯片被配置成载送从约5V至约1200V范围内的电压。

5. 根据权利要求4所述的芯片封装,

其中,所述芯片包括来自下组器件的至少一个器件,该组由以下各项组成:晶体管、功率晶体管、功率MOS晶体管、功率双极晶体管、功率场效应晶体管、功率绝缘栅双极晶体管、闸流晶体管、MOS控制闸流晶体管、硅控整流器、功率肖特基二极管、氮化硅二极管、氮化镓器件、多芯片器件。

6. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述芯片经由在芯片底侧上形成的至少一个接触焊盘被电连接到芯片载体。

7. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述芯片经由导电介质被电连接到芯片载体,该导电介质包括来自下组材料的至少一个,该组由以下各项组成:焊料、软焊料、扩散焊料、导电膏、纳米膏、粘合剂、导电粘合剂。

8. 根据权利要求1所述的芯片封装,

其中,所述电绝缘材料包括来自下组材料的至少一个,该组由以下各项组成:填充或未填充环氧树脂、预先浸渍复合材料纤维、加强纤维、层压件、模具材料、热固材料、热塑性材料、填料颗粒、纤维加强层压件、纤维加强聚合物层压件、具有填料颗粒的纤维加强聚合物层压件。

9. 根据权利要求1所述的芯片封装,还包括

通过电绝缘材料形成的一个或多个电互连;

其中,所述一个或多个电互连被配置成将在芯片顶侧上形成的一个或多个接触焊盘电连接到所述一个或多个导电接触区。

10. 根据权利要求1所述的芯片封装,还包括

一个或多个接合结构,被电连接到所述一个或多个导电接触区。

11. 根据权利要求10所述的芯片封装,

其中,所述一个或多个接合结构包括来自下组材料的至少一个,该组由以下各项组成:焊料、软焊料、扩散焊料、导电膏、纳米膏。

12. 根据权利要求10所述的芯片封装,

其中,所述一个或多个接合结构包括来自下组结构的至少一个,该组由以下各项组成:焊珠、焊料凸块、柱、铜柱。

13. 根据权利要求1所述的芯片封装,还包括

另一接合结构,在芯片载体底侧上的限定导电接触区上形成;

其中,芯片载体的限定导电接触区未被所述另一电绝缘材料覆盖。

14. 根据权利要求1所述的芯片封装,还包括

另一接合结构,在芯片载体底侧上的限定导电接触区上形成;

其中,所述另一接合结构被电连接到在芯片底侧上形成的至少一个接触焊盘。

15. 根据权利要求14所述的芯片封装,

其中,所述另一接合结构包括来自下组材料的至少一个,该组由以下各项组成:焊料、软焊料、扩散焊料、导电膏、纳米膏。

16. 根据权利要求14所述的芯片封装,

其中,所述另一接合结构包括来自下组结构的至少一个,该组由以下各项组成:焊珠、焊料凸块、柱、铜柱。

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