[发明专利]无受闩锁影响的ESD保护

权利要求书

1.一种静电放电模块，其包含：

静电放电电路，具有接垫端和低电位电源端；

闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁输入端和耦接于该静电放电电路的闩锁输出端；以及

第一操作模式与第二操作模式，用于该静电放电模块；

其中，在该第一操作模式中，该闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流I_t1，而在该第二操作模式中，该闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流I_t2。

2.如权利要求1所述的静电放电模块，其中该接垫为器件的输入/输出接垫。

3.如权利要求2所述的静电放电模块，其中该静电放电电路包含第一部位与第二部位，其中该第一部位包含掺有第二极性类型掺质的第一部位阱区以及该第二部位包含掺有第一极性类型掺质的第二部位阱区。

4.如权利要求3所述的静电放电模块，其中该第一部位包含掺有第一类型极性掺质的第一第一部位接触区域以及掺有第二类型极性掺质的第二第一部位接触区域，该第一第一部位接触区域与该第二第一部位接触区域是共同耦接于该接垫。

5.如权利要求4所述的静电放电模块，其中该第二部位包含掺有第一类型极性掺质的第一第二部位接触区域以及掺有第二类型极性掺质的第二第二部位接触区域，该第一第二部位接触区域与该第二第二部位接触区域是共同耦接于该低电位电源。

6.如权利要求5所述的静电放电模块，其中该第二第一部位接触区域及该第二第二部位接触区域是彼此邻近。

7.如权利要求6所述的静电放电模块，其中该些接触区域属于重掺杂。

8.如权利要求7所述的静电放电模块，其中该静电放电电路在静电放电状况下产生由该接垫至该低电位电源端用以消散静电放电电流的电流路径。

9.如权利要求1所述的静电放电模块，其中该静电放电电路包含基于硅控整流器的静电放电电路。

10.如权利要求1所述的静电放电模块，其中该闩锁控制电路包含耦接于该低电位电源的第二闩锁输入端。

11.如权利要求1所述的静电放电模块，其中该静电放电电路包含第一双极型结型晶体管与第二双极型结型晶体管，其中该第一双极型结型晶体管为pnp晶体管以及该第二双极型结型晶体管为npn晶体管。

12.如权利要求11所述的静电放电模块，其中该第一双极型结型晶体管包含：

第一射极，耦接于该接垫；

第一基极，耦接于该闩锁输出端；以及

第一集极，耦接于该低电位电源的。

13.如权利要求12所述的静电放电模块，其中该第一射极由该第一第一部位接触区域所形成、该第一基极由该第一部位阱区所形成、以及该第一集极由该基板所形成，该第一基极与该第二第一部位接触区域是经连接以形成第一节点，以及由该第二部位阱区所形成的该第一集极与电阻器是经连接以形成第二节点。

14.如权利要求13所述的静电放电模块，其中该第二双极型结型晶体管包含：

第二射极，耦接于该低电位电源；

第二基极，耦接于该第二节点；以及

第二集极，耦接于该第一节点。

15.如权利要求14所述的静电放电模块，其中该第二射极由该第二第二部位接触区域所形成，该第二基极由该第二部位阱区所形成，以及该第二集极由该第一部位阱区所形成。

16.一种静电放电模块，其包含：

静电放电电路，具有接垫端和低电位电源端；

闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁输入端、耦接于该低电位电源的第二闩锁输入端以及耦接于该静电放电电路的闩锁输出端；以及

第一操作模式与第二操作模式，用于该静电放电模块；

其中，在该第一操作模式中，该闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流I_t1，而在该第二操作模式中，该闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流I_t2。