[发明专利]无受闩锁影响的ESD保护

说明书

背景技术

由静电产生的静电放电(ESD)，其特征通常在于快速瞬间的高电压放电。ESD事件可出现在电性及电子电路中，如集成电路(IC)。其可产生足以对连接于例如为集成电路输入及/或输出的器件造成破坏性击穿的高电压。 

使ICs免于ESD的方式是使用硅控整流器(SCR)。然而，习知的SCR电路在正常IC操作期间受制于闩锁。闩锁影响IC的操作而造成缺陷。 

因此，能够快速触发以避免破坏内部电路并且在正常操作期间不受闩锁影响的ESD保护电路是想要的。 

发明内容

所呈现的是静电放电模块。该静电放电模块包括：静电放电电路，具有接垫端及低电位电源端；闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁端以及耦接于该静电放电电路的闩锁输出端；以及第一操作模式与第二操作模式；其中，在该第一操作模式中，闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流I_t1，并且在该第二操作模式中，闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流I_t2。 

在另一具体实施例中，所揭露的是静电放电模块。该静电放电模块包括：静电放电电路，具有接垫端及低电位电源端；闩锁控制电路，包括耦接于高电位电源的第一闩锁输入端、耦接于低电位电源的第二闩锁输入端以及耦接于该静电放电电路的闩锁输出端；以及第一操作模式与第二操作模式；其中，在该第一操作模式中，闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流I_t1，而在该第二操作模式中，该闩锁控制电路是激活的，并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流I_t2。 

在又一具体实施例中，所呈现的是形成器件的方法。本方法包括： 设置具有静电放电模块的基板，其中该静电放电模块包括具有接垫端及低电位电源端的静电放电电路、包括耦接于高电位电源的第一闩锁输入端以及耦接于该静电放电电路的闩锁输出端的闩锁控制电路、以及用于该静电放电模块的第一操作模式与第二操作模式；其中，在该第一操作模式中，该闩锁控制电路是去激活的并且该静电放电电路具有小于100mA的第一触发电流I_t1，而在第二操作模式中，闩锁控制电路是激活的并且该静电放电电路具有大于100mA的第二触发电流I_t2。 

本文所揭露具体实施例的这些及其它优点及特征透过参照底下说明及附加图式将变得清楚明白。另外，要理解的是，本文所述各种具体实施例的特征是不互斥的并且可有各种组合及排列。 

附图说明

在图式中，相称的组件符号在各图标中普遍意指相同的部件。还有，图式未必依比例绘制，在描述本发明的原理时通常加强重点。在底下的说明中，本发明的各种具体实施例是引用底下图式予以说明，其中： 

图1表示具有静电放电模块的器件的一部份的具体实施例； 

图2表示具有寄生电路的静电放电模块的具体实施例； 

图3表示闩锁控制电路的具体实施例； 

图4a至4b表示静电放电模块在静电放电和闩锁模式中的具体实施例；以及 

图5a至5b表示静电放电模块在静电放电模式和闩锁模式中的具体实施例的电流-电压(I-V)曲线。 

符号说明 

100  器件 

110  静电放电模块 

112  第一接端、接垫 

116  第二接端、低电位电源 

118  高电位电源 

120  静电放电电路 

124  第一部位 

128  第二部位 

130  第一部位阱区 

134  第一第一部位接触区域 

136  第二第一部位接触区域 

140  第二部位阱区 

144  第一第二部位接触区域 

146  第二第二部位接触区域 

160  闩锁控制电路 

162  第一闩锁控制输入接端 

164  第二闩锁控制输入接端 

168  闩锁控制输出端 

170  内部电路 

192  闩锁电流路径 

220  寄生电路 

292  电流路径 

361  闩锁控制输入(LU_i)