[发明专利]集成电路中具有开口的金属焊盘

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

金属焊盘；

钝化层，包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分；

其中，所述金属焊盘和所述钝化层被包括在芯片中；

后钝化互连件(PPI)，包括：

迹线部分，位于所述钝化层上方；和

焊盘部分，连接至所述迹线部分；以及

第一聚合物层，包括：

位于所述后钝化互连件上方的上部；和

插塞部分，延伸进入所述后钝化互连件的焊盘部分中并且被所述后钝化互连件的焊盘部分所环绕；

模制材料，环绕所述芯片；以及

第二聚合物层，位于所述金属焊盘上方，其中，所述模制材料的顶面和所述第二聚合物层的顶面位于与金属通孔的顶面平行的同一水平面中，其中，所述金属通孔覆盖并接触所述金属焊盘的顶面并且位于所述第二聚合物层中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一聚合物层的插塞部分位于所述后钝化互连件的焊盘部分的过渡区中，并且所述过渡区靠近所述后钝化互连件的迹线部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

凸块下金属(UBM)，延伸进入所述第一聚合物层中以接触所述后钝化互连件的焊盘部分；以及

电连接件，位于所述凸块下金属上方。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一聚合物层的插塞部分不与所述凸块下金属对准。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

所述第二聚合物层，位于所述后钝化互连件下方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一聚合物层的插塞部分的底面与所述后钝化互连件的底面齐平。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述后钝化互连件与所述模制材料重叠。

8.一种半导体器件，包括：

芯片，包括：

金属焊盘；

钝化层，包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分；和

第一聚合物层，位于所述金属焊盘上方；

模制材料，环绕所述芯片，所述模制材料的顶面与所述第一聚合物层的顶面齐平；

后钝化互连件(PPI)，电连接至所述金属焊盘，所述后钝化互连件包括：

迹线部分，位于所述第一聚合物层上方；和

焊盘部分，位于所述第一聚合物层上方并且连接至所述迹线部分；

第二聚合物层，包括：

覆盖部分，位于所述后钝化互连件上方；和

插塞部分，穿透所述后钝化互连件的焊盘部分以接触第三聚合物层；以及

凸块下金属(UBM)，延伸进入所述第二聚合物层中以接触所述后钝化互连件的焊盘部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：

所述第三聚合物层与所述第一聚合物层和所述模制材料重叠，其中所述第三聚合物层位于所述第二聚合物层下方，所述后钝化互连件包括穿透所述第三聚合物层的通孔部分，并且所述通孔部分连接至所述迹线部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

金属通孔，与所述金属焊盘重叠并且位于所述第一聚合物层中，所述金属通孔的顶面与所述第一聚合物层的顶面齐平，并且所述后钝化互连件的通孔部分接触所述金属通孔的顶面。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二聚合物层的插塞部分位于所述后钝化互连件的焊盘部分的过渡部分中，并且所述过渡部分比所述后钝化互连件的焊盘部分的中心更靠近所述后钝化互连件的迹线部分。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二聚合物层的插塞部分不与所述凸块下金属对准。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述模制材料的底面与所述芯片的底面齐平。