[发明专利]集成电路中具有开口的金属焊盘有效
申请号: | 201310263301.9 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103681563B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 陈硕懋;黄渝婷 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 具有 开口 金属 | ||
相关申请的交叉参考
本申请要求于2012年8月30日提交的申请序列号为61/695,206、名称为“Metal Pads with Openings in Integrated Circuits”的美国临时专利申请的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及集成电路中具有开口的金属焊盘。
背景技术
在集成电路的形成中,首先在晶圆中的半导体衬底的表面形成诸如晶体管的器件。然后在集成电路器件上方形成互连结构。金属焊盘形成在互连结构上方并且电连接至互连结构。在金属焊盘上形成钝化层和第一聚合物层,通过钝化层和第一聚合物层中的开口暴露金属焊盘。
然后形成后钝化互连件(PPI),之后在PPI上方形成第二聚合物层。形成延伸至第二聚合物层中的开口中的凸块下金属(UBM),其中UBM电连接至PPI。然后将焊球放置在UBM上方并且对其进行回流焊。
PPI可以包括UBM形成在其上方的PPI焊盘。而且,PPI可以包括将PPI焊盘与下面的金属焊盘连接的PPI迹线。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种器件,包括:
金属焊盘;
钝化层,包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分;
后钝化互连件(PPI),包括:迹线部分,位于所述钝化层上方;和焊盘部分,连接至所述迹线部分;以及
第一聚合物层,包括:位于所述PPI上方的上部;和插塞部分,延伸进入所述PPI的焊盘部分中并且被所述PPI的焊盘部分所环绕。
在可选实施例中,所述第一聚合物层的插塞部分位于所述PPI的焊盘部分的过渡区中,并且所述过渡区靠近所述PPI的迹线部分。
在可选实施例中,所述器件进一步包括:凸块下金属(UBM),延伸进入所述第一聚合物层中以接触所述PPI的焊盘部分;以及,电连接件,位于所述UBM上方。
在可选实施例中,所述第一聚合物层的插塞部分不与所述UBM对准。
在可选实施例中,所述器件进一步包括:第二聚合物层,位于所述金属焊盘上方并且位于所述PPI下方;以及,金属通孔,位于所述第二聚合物层中。
在可选实施例中,所述第一聚合物层的插塞部分的底面与所述PPI的底面基本齐平。
在可选实施例中,所述金属焊盘和所述钝化层被包括在芯片中,其中所述器件进一步包括环绕所述芯片的模制材料。
在可选实施例中,所述器件进一步包括位于所述金属焊盘上方的第二聚合物层,其中所述模制材料的顶面与所述第二聚合物层的顶面基本齐平。
在可选实施例中,所述PPI与所述模制材料重叠。
根据本发明的另一方面,还提供了一种器件,包括:
芯片,包括:
金属焊盘;
钝化层,包括与所述金属焊盘的边缘部分重叠的部分;和
第一聚合物层,位于所述金属焊盘上方;
模制材料,环绕所述芯片,所述模制材料的顶面与所述第一聚合物层的顶面基本齐平;
后钝化互连件(PPI),电连接至所述金属焊盘,所述PPI包括:
迹线部分,位于所述第一聚合物层上方;和
焊盘部分,位于所述第一聚合物层上方并且连接至所述迹线部分;
第二聚合物层,包括:
覆盖部分,位于所述PPI上方;和
插塞部分,穿透所述PPI的焊盘部分以接触所述第一聚合物层;以及
凸块下金属(UBM),延伸进入所述第二聚合物层中以接触所述PPI的焊盘部分。
在可选实施例中,所述器件进一步包括:第三聚合物层,与所述第一聚合物层和所述模制材料重叠,其中所述第三聚合物层位于所述第二聚合物层下方,所述PPI包括穿透所述第三聚合物层的通孔部分,并且所述通孔部分连接至所述迹线部分。
在可选实施例中,所述器件进一步包括:金属通孔,与所述金属焊盘重叠并且位于所述第一聚合物层中,所述金属通孔的顶面与所述第一聚合物层的顶面基本齐平,并且所述PPI的通孔部分接触所述金属通孔的顶面。
在可选实施例中,所述第二聚合物层的插塞部分位于所述PPI的焊盘部分的过渡部分中,并且所述过渡部分比所述PPI的焊盘部分的中心更靠近所述PPI的迹线部分。
在可选实施例中,所述第二聚合物层的插塞部分不与所述UBM对准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310263301.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。