[发明专利]一种用于三维集成的临时键合方法有效
申请号: | 201310263752.2 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103441083A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 蔡坚;魏体伟;王谦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 陈潇潇;肖冰滨 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 三维 集成 临时 方法 | ||
1.一种用于三维集成的临时键合方法,该方法包括:
在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化;
在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶;
将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合;
对所述晶圆进行背面减薄和抛光,直至露出所述硅通孔;
完成所述晶圆的背面制备工艺,并去除所述晶圆正面上的所述支撑片、临时键合胶以及所述干刻蚀型苯丙环丁烯。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯包括:在所述支撑片上涂覆粘附剂,并在所述粘附剂上涂覆所述干刻蚀型苯丙环丁烯。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述临时键合胶的厚度根据所述晶圆的正面制备工艺的高度来确定。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化之后,该方法还包括:对固化后的干刻蚀型苯丙环丁烯进行表面粗糙度处理,以增加所述干刻蚀型苯丙环丁烯与所述晶圆的键合强度并防止将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合期间所述临时键合胶的横向滑动偏移。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,在所述干刻蚀型苯丙环丁烯的表面上形成任意形状的沟槽以增加所述干刻蚀型苯丙环丁烯与所述晶圆的键合强度并防止将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合期间所述临时键合胶的横向滑动偏移。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,通过湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子处理中的任意一种方式或其组合来实现所述干刻蚀型苯丙环丁烯的表面粗糙度处理。
7.根据权利要求4至6中任一项权利要求所述的方法,其中,所述临时键合胶的厚度根据所述晶圆的正面制备工艺的高度以及所述干刻蚀型苯丙环丁烯的表面粗糙程度来确定。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶之后,该方法还包括:在所述临时键合胶上涂覆粘附剂。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,对所述支撑片和所述晶圆进行临时键合的温度应低于使所述临时键合胶性质发生改变的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造