[发明专利]一种用于三维集成的临时键合方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种用于三维集成的临时键合方法，该方法能够应用于圆片级三维封装领域。 

背景技术

在半导体三维集成技术中，为了满足器件的要求，需要将硅片减薄到一定的厚度来实现硅通孔（TSV）的上下互连。TSV结构的制作方式一般包括如下步骤：（1）TSV的深孔刻蚀，即采用DRIE（深反应离子刻蚀）工艺制备出高深宽比结构的TSV；（2）TSV的深孔电镀，即通过在深孔的侧壁上依次沉积绝缘层、扩散阻挡层以及种子层来进行TSV的填充；（3）正面制备工艺，即在晶圆的正面上形成布线以及相关的器件，其中根据实际的工艺需求，可以采用CMOS工艺、MEMS工艺、双极工艺等来完成晶圆正面上的布线和相关器件的制备；（4）通过临时键合胶将支撑片和正面制备工艺后的晶圆键合在一起；（5）对晶圆的背面进行减薄和抛光；（6）对减薄后的晶圆进行背面制备工艺；（7）将背面制备工艺后的晶圆与其他晶圆或者芯片进行键合；（8）去除支撑片。在目前的临时键合工艺中，除了上述的临时键合胶之外，常用的方法还有采用金属键合和光刻胶键合等。但是金属键合的成本和工艺温度高；而光刻胶和临时键合胶键合在后续的工艺中由于流动性等问题容易出现键合胶的软化和偏移，使得在晶圆减薄之后容易出现翘曲的现象,并且在后续的组装键合中，对准精度也容易出现偏差。 

发明名称为“采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺”的中国专利申请CN101834159A提出了利用BCB（干刻蚀型苯丙环丁烯）辅助键合来实现硅通孔封装的制作，其键合强度高，可以将晶圆减薄到更薄的 厚度，但是这种键合方式中的BCB不容易去除。 

发明内容

本发明的目的是提供一种用于三维集成的临时键合方法，该临时键合方法能够避免现有技术中的上述缺陷。 

本发明提供一种用于三维集成的临时键合方法，该方法包括： 

在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯进行固化； 

在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶； 

将所述支撑片和所述晶圆进行临时键合； 

对所述晶圆进行背面减薄和抛光，直至露出所述硅通孔； 

完成所述晶圆的背面制备工艺，并去除所述晶圆正面上的所述支撑片、临时键合胶以及所述干刻蚀型苯丙环丁烯。 

通过上述技术方案，由于在已完成硅通孔和正面制备工艺的晶圆的正面上涂覆临时键合胶，这样在将支撑片与晶圆进行临时键合时就在干刻蚀型苯丙环丁烯与所述晶圆之间形成有一层临时键合胶，也即根据本发明的方法是通过BCB和临时键合胶来实现硅通孔封装的临时键合工艺，从而克服了现有技术中完成键合之后干刻蚀型苯丙环丁烯不易被去除的缺陷。 

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。 

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中： 

图1至图5是根据本发明的用于三维集成的临时键合方法的流程剖面 图。 

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。 

下面结合附图1至5来详细描述根据本发明的用于三维集成的临时键合方法。 

首先，如图1所示，在支撑片1上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯（BCB）2并使所述干刻蚀型苯丙环丁烯（BCB）2进行固化。其中，所述在支撑片上涂覆干刻蚀型苯丙环丁烯可以包括：在所述支撑片1上涂覆粘附剂（未示出），并在所述粘附剂上涂覆所述干刻蚀型苯丙环丁烯2，以便于BCB2与支撑片1之间更好地粘附。另外，优选地，在图1所示的步骤之前，将支撑片1进行清洗（该步骤可选），以便于更容易地将BCB2涂覆到支撑片1上。