[发明专利]用于硅熔炼的石墨坩埚及其使用方法无效

专利信息
申请号: 201310264207.5 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN103332693A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 陈磊;谭毅;张晓峰;袁涛;刘子成;姜大川 申请(专利权)人: 青岛隆盛晶硅科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266234 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 用于 熔炼 石墨 坩埚 及其 使用方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种熔炼用坩埚,具体涉及一种用于硅熔炼的石墨坩埚及其使用方法。

背景技术

硅有无定型和晶体两种同素异形体,具有明显的金属光泽,呈灰色,密度2.32-2.34g/cm3,熔点1410℃,沸点3231.6℃(1atm气压下),具有金刚石的晶体结构,电离能8.151电子伏特。加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。硅在自然界分布很广,在地壳中的原子百分含量为16.7%。是组成岩石矿物的一个基本元素,以石英砂和硅酸盐出现。

目前,硅主要有以下几方面的应用:

(1)高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。单晶硅作为半导体器件的核心材料,大大地促进了信息技术的革命。自20世纪中叶以来,单晶硅随着半导体工业的需要而迅速发展。

(2)金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。可应用于军事武器的制造。第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时摩擦产生的高温,主要依靠其三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。

(3)光导纤维通信,最新的现代通信手段。用纯二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纤维。激光可在玻璃纤维的通路里,发生无数次全反射而向前传输,代替了笨重的电缆。光纤通信容量高,一根头发丝细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话;并且还不受电、磁的干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。

(4)性能优异的硅有机化合物。有机硅化合物,是指含有Si-O键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物,习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中,以硅氧键(-Si-0-Si-)为骨架组成的聚硅氧烷,是有机硅化合物中为数最多,研究最深、应用最广的一类,约占总用量的90%以上。

(5)硅与有机橡胶合成的材料俗称硅胶,柔软度、韧性和防水性都优于普通橡胶,是人造血管、骨骼的最佳材料。

目前,在硅的熔炼过程中使用的坩埚通常有铜坩埚、石墨坩埚、石英坩埚、碳化硅坩埚和氮化硅坩埚。铜坩埚由于铜自身的熔点低,所以需要有不断的水冷保护,结构复杂,工艺繁琐。碳化硅坩埚和氮化硅坩埚由于成本高,使用率不高。石英坩埚性能优良,但是比较容易破碎,变相的增加了使用成本。因而普遍采用石墨坩埚进行加热。

传统工业中,石墨坩埚为开口向上的一体式结构,石墨坩埚在高温下,石墨坩埚中的杂质容易渗透到熔融的硅液中,从而对硅液造成了污染,还经常发生硅液与石墨坩埚内壁粘连。另外,石墨坩埚在高温下容易氧化,在坩埚壁上形成气孔,影响导电率。以上的缺点造成了石墨坩埚寿命短,增加了成本。

发明内容

根据以上现有技术的不足,本发明提出一种用于硅熔炼的石墨坩埚及其使用方法,通过感应加热的方法,使在熔炼过程中,硅液不接触坩埚壁,能够避免硅液被污染,提高坩埚使用寿命。

本发明所述的一种用于硅熔炼的石墨坩埚,包括坩埚体,坩埚体的外壁缠绕有电磁线圈,坩埚体由坩埚底和坩埚壁组成,所述的坩埚壁由沿坩埚体圆周方向上等距排列的至少12片石墨板组成。

由于坩埚壁不再是整体是结构,而是由至少12片石墨板组成,相邻的石墨板之间有缝隙。电磁线圈连接交流电电源,电磁线圈产生的电磁场从缝隙中渗透到石墨坩埚内最大化,起到了增强石墨坩埚内壁电磁场的作用,形成足够的电磁压力,同时交流电在空间产生的电磁场能量得到最大化利用。

其中,石墨板与相邻石墨板的缝隙的面积比优选为2~4:1。

石墨板与坩埚底优选采用插接的方式连接,采用插接的方式保证了每一块石墨板都是独立的,如果其中一块无法使用时,可以随时更换代替,从而延长了石墨坩埚的整体使用寿命。

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