[发明专利]一种吸附面板及其制作方法、对合装置有效
申请号: | 201310264692.6 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103325718A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 张波 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 面板 及其 制作方法 装置 | ||
1.一种吸附面板,其特征在于,包括:基板、设置在所述基板上的微米层级结构,其中,所述微米层级结构包括多个微米物质单元;
在所述微米物质单元表面设置有纳米层级结构,其中,所述纳米层级结构包括多个纳米物质单元。
2.根据权利要求1所述的吸附面板,其特征在于,所述基板和所述微米层级结构的材料相同。
3.根据权利要求2所述的吸附面板,其特征在于,所述基板和所述微米层级结构为一体结构。
4.根据权利要求2所述的吸附面板,其特征在于,所述基板和所述微米层级结构的材料为硅。
5.根据权利要求1所述的吸附面板,其特征在于,所述微米物质单元在基板上以阵列的形式排布。
6.根据权利要求1所述的吸附面板,其特征在于,所述微米物质单元为圆柱形。
7.根据权利要求6所述的吸附面板,其特征在于,所述微米层级结构的圆柱的直径为3-5μm,所述微米层级结构的圆柱高10-15μm,所述微米层级结构相邻两个圆柱的轴心相距8-10μm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的吸附面板,其特征在于,所述纳米层级结构设置在所述微米物质单元的顶表面上。
9.根据权利要求8所述的吸附面板,其特征在于,所述纳米物质单元在微米物质单元的顶表面上以阵列的形式排布。
10.根据权利要求8所述的吸附面板,其特征在于,所述纳米物质单元为圆柱形。
11.根据权利要求10所述的吸附面板,其特征在于,所述纳米层级结构的圆柱的直径为100-200nm,所述纳米层级结构的圆柱高2.5-3μm,所述纳米层级结构相邻两个圆柱的轴心相距150-300nm。
12.根据权利要求1所述的吸附面板,其特征在于,所述纳米物质单元为碳纳米管。
13.一种吸附面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成微米层级结构,其中,所述微米层级结构包括多个微米物质单元;
在所述微米物质单元表面形成纳米层级结构,其中,纳米层级结构包括多个纳米物质单元。
14.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,在基板上形成微米层级结构具体为:
在基板表面形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述基板进行曝光和显影,显影后形成光刻胶保留部分和光刻胶去除部分,其中,光刻胶保留部分对应微米物质单元;
刻蚀基板上未覆盖光刻胶的部分;
将光刻胶剥离。
15.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,在所述微米物质单元表面形成纳米层级结构具体为:
在微米物质单元表面形成纳米层薄膜;
在纳米层薄膜的表面形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光和显影,显影后形成光刻胶保留部分和光刻胶去除部分,其中,光刻胶保留部分对应纳米物质单元;
刻蚀纳米层薄膜未覆盖光刻胶的部分;将光刻胶剥离。
16.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,通过化学气相沉积法,在微米物质单元表面形成纳米层级结构。
17.一种对合装置,其特征在于,包括权利要求1-12任一项所述的吸附面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造