[发明专利]一种吸附面板及其制作方法、对合装置有效
申请号: | 201310264692.6 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN103325718A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 张波 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸附 面板 及其 制作方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种吸附面板及其制作方法、对合装置。
背景技术
现有的液晶显示器包括:上基板、下基板以及设置在上基板和下基板之间的液晶。其中,液晶显示器在制作过程中的重要步骤就是将上基板和下基板对合。
现有技术上基板和下基板对合是通过对合装置进行的。现有的对合装置是在真空的环境下,将下基板放置在底板上,对合装置通过吸附面板将上基板吸附起来,再将其与下基板对合。现有的吸附面板为平面板状结构,其主要是采用具有粘性的高分子材料制成,具有粘性,因而可以将基板吸附起来。但这种吸附面板的吸附能力有限,且吸附面板由于具有粘性也容易吸附水分、异物等,不但影响其吸附能力也可能影响基板的洁净度。另一方面,形成的吸附面板质地较软,易损伤。再者,吸附面板由于形成其的材料具有粘性,使用时间长,吸附面板表面的粘性降低,上基板和下基板对合过程中可能造成上基板掉落,引起不必要的损失。
发明内容
本发明的实施例提供一种吸附面板及其制作方法、对合装置,所述吸附面板包括微纳米层级结构,吸附力强且不易吸附异物。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种吸附面板,包括:基板、设置在所述基板上的微米层级结构,其中,所述微米层级结构包括多个微米物质单元;
在所述微米物质单元表面设置有纳米层级结构,其中,所述纳米层级结构包括多个纳米物质单元。
可选的,所述基板和所述微米层级结构的材料相同。
可选的,所述基板和所述微米层级结构为一体结构。
可选的,所述基板和所述微米层级结构的材料为硅。
可选的,所述微米物质单元在基板上以阵列的形式排布。
可选的,所述微米物质单元为圆柱形。
可选的,所述微米层级结构的圆柱的直径为3-5μm。所述微米层级结构的圆柱高10-15μm,所述微米层级结构相邻两个圆柱的轴心相距8-10μm。
可选的,所述纳米层级结构设置在所述微米物质单元的顶表面上。
可选的,所述纳米物质单元在微米物质单元的顶表面上以阵列的形式排布。
可选的,所述纳米物质单元为圆柱形。
可选的,所述纳米层级结构的圆柱的直径为100-200nm,所述纳米层级结构的圆柱高2.5-3μm,所述纳米层级结构相邻两个圆柱的轴心相距150-300nm。
可选的,所述纳米物质单元为碳纳米管。
本发明实施例提供了一种吸附面板的制作方法,包括:
在基板上形成微米层级结构,其中,所述微米层级结构包括多个微米物质单元;
在所述微米物质单元表面形成纳米层级结构,其中,纳米层级结构包括多个纳米物质单元。
可选的,在基板上形成微米层级结构具体为:
在基板表面形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述基板进行曝光和显影,显影后形成光刻胶保留部分和光刻胶去除部分,其中,光刻胶保留部分对应微米物质单元;
刻蚀基板上未覆盖光刻胶的部分;
将光刻胶剥离。
可选的,在所述微米物质单元表面形成纳米层级结构具体为:
在微米物质单元表面形成纳米层薄膜;
在纳米层薄膜的表面形成光刻胶层;
利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光和显影,显影后形成光刻胶保留部分和光刻胶去除部分,其中,光刻胶保留部分对应纳米物质单元;
刻蚀纳米层薄膜未覆盖光刻胶的部分;将光刻胶剥离。
可选的,通过化学气相沉积法,在微米物质单元表面形成纳米层级结构。
本发明实施例提供了一种对合装置,包括本发明实施例提供的任一所述的吸附面板。
本发明实施例提供的一种吸附面板及其制作方法、对合装置,所述吸附面板设置有微纳米层级结构,依靠分子引力吸附基板等物体,且相对于现有的吸附面板,本发明实施例提供的吸附面板的吸附力强、不易损伤、不易粘灰且吸附力持久,包括所述吸附面板的对合装置,不仅可以保证吸附在其上面的基板的安全性还可以保证基板的洁净度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种吸附面板的主视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种吸附面板的俯视结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种吸附面板的轴侧示意图;
图4为本发明实施例提供的一种吸附面板的制作方法示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310264692.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造