[发明专利]高击穿电压LDMOS器件

权利要求书

1.一种多栅横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，包括：

绝缘体上半导体SOI支撑结构，其上或其上方被放置有至少一个对称的内部LDMOS区域以及至少一个非对称接近边缘LDMOS区域；

深槽隔离壁，延伸到所述支撑结构中并且终止所述至少一个接近边缘LDMOS区域；

第一导电类型的漏区，接近所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的上表面；以及

掺杂半导体埋层区域，接近所述深槽隔离壁，位于所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的一部分下面，并且具有与所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域的所述漏区相反的导电类型。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域包括；

第一导电类型的第一阱区域，接近并且位于所述漏区下面；

第二相反导电类型的第二阱区域，位于所述第一阱区域下面；以及

其中所述埋层区域具有第二导电类型并且位于接近所述深槽隔离壁的所述第二阱区域下面。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中所述至少一个对称的内部LDMOS区域包括：

至少一个漏区，居中放置在横向左侧放置的第一源区和横向右侧放置的第二源区之间，所述第一源区位于第一体区域中和所述第二源区位于与所述第一体区域分开的第二体区域中；

第一栅结构，在所述第一体区域的位于所述第一源区和所述至少一个漏区之间的至少第一部分上延伸；以及

第二栅结构，在所述第二体区域的位于所述第二源区和所述至少一个漏区之间的至少第二部分上延伸。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中所述支撑结构包括在其上是绝缘层的衬底，在所述绝缘层上是第一半导体层以及还包括覆盖所述第一半导体层并且具有所述上表面的第二半导体层。

5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其中所述至少一个对称的内部LDMOS区域以及所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域位于所述第二半导体层中。

6.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其中所述埋层区域穿过所述第一和第二半导体层到达所述绝缘层。

7.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其中所述深槽隔离壁从所述上表面穿到或穿过所述绝缘层。

8.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其中所述支撑结构包括在其上是绝缘层的衬底，在所述绝缘层上是第一半导体层以及还包括覆盖所述第一半导体层的第二半导体层以及所述第一和第二阱区域位于其中，并且其中所述埋层区域从所述第二阱区域延伸到所述绝缘层。

9.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其中所述至少一个对称的内部LDMOS区域具有第一漏区，所述第一漏区被横向位于所述第一漏区相对侧上的至少两个源区馈送，以及所述至少一个非对称接近边缘LDMOS区域具有至少一个第二漏区，所述至少一个第二漏区被仅仅横向位于所述第二漏区的一侧上的至少一个源区馈送。

10.一种LDMOS器件，包括：

至少一个居中放置的对称的LDMOS器件区域，具有第一源区、第二源区以及横向位于所述第一源区和所述第二源区之间的漏区；

至少一个非对称周边放置的器件区域，具有周边放置的源区和位于所述周边放置的源区的横向外侧的周边放置的漏区；

深槽隔离区域，位于所述至少一个非对称周边放置的器件区域的横向外侧；以及

埋层半导体区域，位于所述至少一个非对称周边放置的器件区域的至少一部分下面，接近所述深槽隔离区域的侧壁，并且具有与所述周边放置的漏区相反的导电类型。