[发明专利]高击穿电压LDMOS器件

说明书

一个多区域(81、83)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件（40）有一个绝缘体上半导体(SOI)支撑结构(21)，在其上形成了一个大体上对称、横向内部的第一LDMOS区域(81)以及一个大体上非对称、横向接近边缘的第二LDMOS区域(83)。一个深槽隔离(DTI)壁(60)大体上横向终止所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)。由与所述DTI壁（60）相关联的所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)展示的电场增强以及下层源极‑漏极击穿电压(BVDSS)通过在接近所述DTI壁（60）的所述SOI支撑结构(21)中提供一个掺杂SC埋层区域(86)被避免，位于所述横向接近边缘LDMOS区域(83)的一部分下面并且与所述横向接近边缘第二LDMOS区域(83)的一个漏区(31)有相反导电类型。

技术领域

本发明通常涉及半导体器件和电路以及制作半导体器件和电路 的方法，更具体地说涉及包含横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 器件的半导体器件和电路。

背景技术

绝缘栅场效应晶体管(IGFET)作为单独的器件以及作为各种集 成电路(IC)的一部分多用于现代电子学中。金属氧化物半导体(MOS) 器件是IGFET的一个众所周知的形式并且通常指缩写MOSFET。不 论这种器件的导电栅极是金属还是其它导体，以及不论栅极绝缘体是 氧化物还是其它介电质，缩写MOS和MOSFET以及它们代表的术语 通常被用于本领域以指IGFET。除非明确指出，缩写MOS、MOSFET 以及它们代表的术语被解释为包括任何导电材料并且不仅是栅极导体 的金属元素以及任何介电质材料并且不仅是栅极绝缘体的氧化物。

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是广泛使用的 MOSFET的一个众所周知的子集，尤其关联于高电压和/或高功率应 用。对LDMOS做了各种修改以改进各种性能，例如，击穿电压、增 益、泄漏电流、功率处理能力等。然而，需要进一步改进。特别是关 于LDMOS器件的源极-漏极击穿电压(称为“BVDSS”)。本发明所说明 的各种实施例提供了改进性能的器件。

附图说明

本发明将在下文中结合附图被描述，其中相似的数字表示相似的 元素，并且其中：

图1根据现有技术，显示了横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 器件的简化截面图；

图2根据本发明的一个实施例，显示了LDMOS器件的简化截面 图；以及

图3-图10根据本发明的进一步的实施例，显示了在制作的各个 阶段期间图2的LDMOS器件的简化截面图。

具体实施方式

以下的详细说明书仅仅是示例的，不旨在限定本发明或本申请以 及本发明的使用。此外，也不旨在被现有技术领域、背景、或以下详 细说明书中的任何明示或暗示的理论所限定。

为了简便以及清晰的说明，附图说明了构造的一般方式，并且说 明书以及众所周知的特征和技术的细节或可被忽略以避免不必要地模 糊本发明。此外，附图中的元素不一定按比例绘制。例如，附图中的 一些元素或区域的尺寸相对于其它元素或区域或可被夸大以帮助提高 对本发明实施例的理解。