[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括：栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、像素电极和有源区，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形，并形成栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形；

形成透明导电层薄膜，通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形；

通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形具体包括：

依次形成有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜，其中，有源层薄膜与所述栅极对应的部分构成有源区，并在刻蚀阻挡层薄膜上涂覆光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，保留刻蚀阻挡区的光刻胶层；

去除无光刻胶遮挡的刻蚀阻挡层薄膜，形成刻蚀阻挡区的图形；

去除剩余的光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述形成透明导电层薄膜，通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形具体包括：

依次形成透明导电层薄膜、过渡层薄膜、金属层薄膜；

通过构图工艺去除与有源区相对应的金属层薄膜、过渡层薄膜和透明导电层薄膜，以及各像素单元之间区域的金属层薄膜、过渡层薄膜、透明导电层薄膜和有源层薄膜，形成包括源连接层、源过渡层、源极和漏极的图形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述通过构图工艺用透明导电层薄膜形成像素电极的图形具体包括：

形成钝化层，并在钝化层上涂覆光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，其中显示区无剩余光刻胶层；

通过干刻法去除显示区无光刻胶层遮挡的钝化层；

通过湿刻法去除显示区无光刻胶层遮挡的金属层薄膜；

通过干刻法去除显示区无光刻胶遮挡的过渡层薄膜，使透明导电层薄膜暴露形成像素电极；

去除剩余的光刻胶层。

5.一种阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源区，其特征在于，

所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，所述透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极，在显示区构成像素电极。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述源极上的源过渡层和位于所述源过渡层上的源连接层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、源过渡层、源连接层图案相同。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源过渡层的材料为重掺杂的非晶硅；所述源连接层为钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛、铜中的一种或多种材料形成的单层或多层复合叠层。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管区。

10.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述有源区的材料为金属氧化物半导体。

11.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于有源区上的刻蚀阻挡区。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5～11中任意一项的阵列基板。