[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

近年来，显示技术得到快速的发展，如薄膜晶体管技术由原来的a-Si（非晶硅）薄膜晶体管发展到现在的LTPS（低温多晶硅）薄膜晶体管、MILC（金属诱导横向晶化）薄膜晶体管、Oxide（氧化物）薄膜晶体管等。而发光技术也由原来的LCD（液晶显示器）、PDP（等离子显示屏）发展为现在的OLED（有机发光二极管）等。

目前，氧化物薄膜晶体管以其诸多优势日益受到重视。使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的迁移率高，均一性好，透明，开关特性更优，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。

但是，现有技术中的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺较为复杂，一般要经过6道光刻工艺，如图1所示为现有氧化物薄膜晶体管阵列基板典型结构图，该氧化物薄膜晶体管阵列基板包括基板1、栅极2、栅极绝缘层3、氧化物有源层4、刻蚀阻挡区5、漏极602、源极601、钝化层7和像素电极8。这种结构的氧化物薄膜晶体管阵列基板需要通过6道光刻分别形成包括栅极2，氧化物有源层4，刻蚀阻挡区5，源极601和漏极602，钝化层7过孔和像素电极8的图案。可见，这种结构的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂，制作成本较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂，制作成本较高的问题，提供一种制作工艺简单，制作成本低的阵列基板的制作方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括：栅极、栅极绝缘层、源极、漏极、像素电极和有源区，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图形，并形成栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基板上通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形；

形成透明导电层薄膜，通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形；

通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括像素电极的图形。

优选的是，所述通过构图工艺形成包括有源区和刻蚀阻挡区的图形具体包括：

依次形成有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜，其中，有源层薄膜与所述栅极对应的部分构成有源区，并在刻蚀阻挡层薄膜上涂覆光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，保留刻蚀阻挡区的光刻胶层；

去除无光刻胶遮挡的刻蚀阻挡层薄膜，形成刻蚀阻挡区的图形；

去除剩余的光刻胶层。

优选的是，所述形成透明导电层薄膜，通过构图工艺用透明导电层薄膜形成包括源极、漏极的图形具体包括：

依次形成透明导电层薄膜、过渡层薄膜、金属层薄膜；

通过构图工艺去除与有源区相对应的金属层薄膜、过渡层薄膜和透明导电层薄膜，以及各像素单元之间区域的金属层薄膜、过渡层薄膜、透明导电层薄膜和有源层薄膜，形成包括源连接层、源过渡层、源极和漏极的图形。

进一步优选的是，所述阵列基板包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述通过构图工艺用透明导电层薄膜形成像素电极的图形具体包括：

形成钝化层，并在钝化层上涂覆光刻胶层；

对光刻胶层进行曝光、显影，其中显示区无剩余光刻胶层；

通过干刻法去除显示区无光刻胶层遮挡的钝化层；

通过湿刻法去除显示区无光刻胶层遮挡的金属层薄膜；

通过干刻法去除显示区无光刻胶遮挡的过渡层薄膜，使透明导电层薄膜暴露形成像素电极；

去除剩余的光刻胶层。

本发明的阵列基板制作方法，通过构图工艺用同一层透明导电层薄膜形成包括源极、漏极、像素电极的图形，故其制作工艺简单，制作成本低。

本发明所要解决的技术问题还包括，针对现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂，制作成本较高的问题，提供一种制作工艺简单，制作成本低的阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源区，所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，所述透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极，在显示区构成像素电极。

优选的是，所述的阵列基板还包括：位于所述源极上的源过渡层和位于所述源过渡层上的源连接层。