[发明专利]LED基板的制作方法、LED及其固晶方法

权利要求书

1.一种LED基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1）选择玻璃态转化温度大于或者等于250℃的BT板作为所述LED基板的板材；

2）对所述BT板进行冲孔；

3）在所述BT板上加工导通孔，所述导通孔沿所述BT板的厚度方向贯穿所述BT板；

4）在所述BT板的上表面和下表面以及所述导通孔的内壁镀铜，分别形成上层铜箔、下层铜箔和内层铜箔，所述内层铜箔分别与所述上层铜箔和所述下层铜箔相连；

5）制作线路，获得LED基板。

2.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3）中，所述导通孔呈条形，且所述导通孔的数目至少为两个，相邻的两个所述导通孔之间具有放置LED芯片所需的距离。

3.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4）和所述步骤5）之间还包括步骤：在所述BT板内压入连接所述上层铜箔和所述下层铜箔的散热柱。

4.根据权利要求3所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述散热柱为铜柱。

5.根据权利要求1所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，所述上层铜箔的厚度大于所述下层铜箔的厚度。

6.根据权利要求5所述的LED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，所述BT板的上表面残铜率小于或者等于8%，所述BT板的下表面残铜率小于或者等于8%。

7.一种LED的固晶方法，其特征在于，包括步骤：

1）选择BT基板，所述BT基板采用如权利要求1-6中任意一项所述的LED基板的制作方法获得；

2）按照预设烘烤温度和预设烘烤时间烘烤所述BT基板；

3）采用共晶焊接方式将芯片固定在所述BT基板上。

8.根据权利要求7所述的LED的固晶方法，其特征在于，所述步骤2）中，所述预设烘烤温度为80℃，所述预设烘烤时间为12h。

9.根据权利要求7所述的LED的固晶方法，其特征在于，所述步骤3）中，所述共晶焊接中所使用的保护气体的流量为2m³/h；所述保护气体为氮氢保护气体，其中，氮气的含量为90%，氢气的含量为10%。

10.一种LED，包括基板和固定于所述基板上的芯片，其特征在于，所述芯片采用如权利要求7-9中任意一项所述的LED固晶方法固定于所述基板上。