[发明专利]LED基板的制作方法、LED及其固晶方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED共晶焊接技术领域，更具体地说，涉及一种LED基板的制作方法和一种LED及其固晶方法。

背景技术

随着科技的不断进步，LED（Light-Emitting Diode，发光二极管）逐渐被广泛应用于照明、显示器和电视机采光装饰等。

LED主要包括：芯片和承载芯片的基板。通常将芯片固定在基板上称为固晶。LED固晶方式主要有两种：一种为银胶固晶，最高制程温度为150℃，通常采用BT基板（BT全称为Bismalemide Triazine）；另一种为共晶焊接，共晶焊接方式的制程温度高达320℃，通常采用陶瓷基板。

目前，大功率LED的需求较大，大功率LED通常采用共晶焊接技术。由于共晶焊接中制程温度较高，所以必须特别考虑基板等材料的耐热程度，为了保证共晶焊接的实现，通常采用陶瓷基板。但是，陶瓷基板的制造成本较高（陶瓷基板的成本大约为BT基板的成本的5倍），导致大功率LED的封装成本也较高。

综上所述，如何降低大功率LED的封装成本，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED基板的制作方法，以降低大功率LED的基板成本，进而降低大功率LED的封装成本。本发明的另一目的是提供一种LED及其固晶方法。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED基板的制作方法，包括步骤：

1）选择玻璃态转化温度大于或者等于250℃的BT板作为所述LED基板的板材；

2）对所述BT板进行冲孔；

3）在所述BT板上加工导通孔，所述导通孔沿所述BT板的厚度方向贯穿所述BT板；

4）在所述BT板的上表面和下表面以及所述导通孔的内壁镀铜，分别形成上层铜箔、下层铜箔和内层铜箔，所述内层铜箔分别与所述上层铜箔和所述下层铜箔相连；

5）制作线路，获得LED基板。

优选的，上述LED基板的制作方法中，所述步骤3）中，所述导通孔呈条形，且所述导通孔的数目至少为两个，相邻的两个所述导通孔之间具有放置LED芯片所需的距离。

优选的，上述LED基板的制作方法中，所述步骤4）和所述步骤5）之间还包括步骤：在所述BT板内压入连接所述上层铜箔和所述下层铜箔的散热柱。

优选的，上述LED基板的制作方法中，所述散热柱为铜柱。

优选的，上述LED基板的制作方法中，所述步骤4）中，所述上层铜箔的厚度大于所述下层铜箔的厚度。

优选的，上述LED基板的制作方法中，所述步骤4）中，所述BT板的上表面残铜率小于或者等于8%，所述BT板的下表面残铜率小于或者等于8%。

本发明提供的LED基板的制作方法，通过选择玻璃态转化温度大于或者等于250℃的BT板作为LED基板的板材，以保证BT板具有较高的耐热性能；通过在BT板上加工导通孔，来提高BT板本身的散热性能，在导通孔内镀铜形成连接上层铜箔和下层铜箔的内层铜箔，来提高上层铜箔与下层铜箔之间的散热性能，从而保证LED基板能够满足共晶焊接技术的使用要求。

本发明提供的LED基板的制作方法，通过选择具有较高耐热性能的BT板，以及在BT板上设置导通孔并在导通孔内镀铜，来提高BT板的耐热性能，使得BT板能够满足共晶焊接技术的使用要求，则本发明提供的LED基板能够应用于共晶焊接技术，与现有技术大功率LED的基板采用陶瓷基板相比，由于BT板的成本低于陶瓷板，则降低了大功率LED的基板成本，进而降低了大功率LED的封装成本。

基于上述提供的LED基板的制作方法，本发明还提供了一种LED的固晶方法，该LED的固晶方法包括步骤：

1）选择BT基板，所述BT基板采用上述任意一项所述的LED基板的制作方法获得；

2）按照预设烘烤温度和预设烘烤时间烘烤所述BT基板；

3）采用共晶焊接方式将芯片固定在所述BT基板上。

优选的，上述LED的固晶方法中，所述步骤2）中，所述预设烘烤温度为80℃，所述预设烘烤时间为12h。

优选的，上述LED的固晶方法中，所述步骤3）中，所述共晶焊接中所使用的保护气体的流量为2m³/h；所述保护气体为氮氢保护气体，其中，氮气的含量为90%，氢气的含量为10%。

基于上述提供的LED的固晶方法，本发明还提供了一种LED，该LED，包括基板和固定于所述基板上的芯片，其中，所述芯片采用上述任意一项所述的LED固晶方法固定于所述基板上。