[发明专利]一种COA基板及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310270053.0 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103325732A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 coa 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种COA基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在一衬底基板上形成薄膜晶体管；
在所述衬底基板上形成彩膜层图案；
通过构图工艺在所述彩膜层上形成包括彩膜过孔的图案，所述构图工艺中包括灰化工艺；
在所述衬底基板上形成包括像素电极的图案；所述像素电极通过所述彩膜过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的COA基板的制造方法，其特征在于，在通过构图工艺在所述彩膜层上形成包括彩膜过孔的图案之前，还包括：在所述彩膜层上形成透明保护层。
3.根据权利要求2所述的COA基板的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述彩膜层上形成包括像素电极过孔的图案，包括以下步骤：
在所述透明保护层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶不保留区域包括彩膜过孔的区域；
刻蚀掉光刻胶不保留区域的透明保护层，形成包括保护层过孔的图案，所述保护层过孔与所述彩膜过孔的位置对应；
采用灰化工艺去除光刻胶不保留区域的彩膜层，形成包括彩膜过孔的图案。
4.根据权利要求2所述的COA基板的制造方法，其特征在于，所述透明保护层为透明绝缘材料或透明金属氧化物材料。
5.根据权利要求1所述的COA基板的制造方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述彩膜层上形成包括像素电极过孔的图案，包括以下步骤：
对所述彩膜层进行曝光，形成彩膜层保留区域和彩膜层不保留区域，所述彩膜层不保留区域包括彩膜过孔的区域；
采用灰化工艺去除所述彩膜层不保留区域的彩膜层，形成包括彩膜过孔的图案。
6.根据权利要求5所述的COA基板的制造方法，其特征在于，采用投影式曝光机对所述彩膜层进行曝光。
7.根据权利要求1所述的COA基板的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成包括像素电极的图案之后，还包括：
在所述像素电极上形成钝化层。
8.根据权利要求7所述的COA基板的制造方法，其特征在于，在所述像素电极上形成钝化层之后，还包括：
在所述钝化层上形成包括公共电极的图案。
9.一种COA基板，其特征在于，采用权利要求1～8任一所述的制造方法制造。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的COA基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310270053.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
