[发明专利]一种COA基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种COA基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器包括薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板和液晶层，其中，彩膜基板是液晶显示器的主要组成部分，用于实现彩色画面的显示。早期制造薄膜晶体管液晶显示器的技术中，彩膜层与作为驱动开关的薄膜晶体管形成在不同基板上，并位于液晶层两侧，然而这种配置方式会造成显示面板的开口率降低，进而影响显示面板的亮度与画面品质。由于近年来，市场上对显示面板的开口率及亮度的要求提高，业界为应市场需求进而开发出一种彩膜层直接形成在阵列基板上（Color filter On Array，简称“COA”）的技术，即将彩膜层和薄膜晶体管形成在一块基板上，如此不仅可以提升显示面板的开口率，增加显示面板的亮度，而且避免了将彩膜层和薄膜晶体管形成在不同基板上所衍生的问题。

如图1所示，现有技术中通过COA技术形成的彩色滤光阵列基板（即COA基板）包括由栅线和数据线限定的像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称“TFT”）10、彩膜层6和像素电极7，彩膜层6一般由红、绿、蓝（R、G、B）三种彩色有机树脂层形成，并在有机树脂层表面形成有树脂平坦层（图中未示出）。像素电极7通过彩膜过孔5′与TFT的漏电极12电性连接。

随着液晶显示器的分辨率不断提高，显示面板的像素单元尺寸越来越小，例如：分辨率为400ppi的显示器，像素单元的尺寸一般在25×25um左右。而通过传统的掩膜曝光和显影工艺形成的彩膜过孔5′的孔径尺寸变化量大，最大孔径尺寸也大，其中，孔径尺寸的变化量为8um左右，最大孔径为25um左右，严重影响了像素单元的开口率。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明提供一种COA基板的制造方法，用以解决通过传统工艺形成的彩膜过孔的最大孔径尺寸大，孔径尺寸变化量也大，严重影响了像素单元的开口率的问题。

本发明还提供一种COA基板，其采用如上所述的制造方法制造，用以解决COA基板的像素单元的开口率受彩膜过孔影响的问题。

同时，本发明还提供一种显示装置，包括如上所述的COA基板，用以提高显示装置的显示质量。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供一种彩色滤光阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

在一衬底基板上形成薄膜晶体管；

在所述衬底基板上形成彩膜层图案；

通过构图工艺在所述彩膜层上形成包括彩膜过孔的图案，所述构图工艺中包括灰化工艺；

在所述衬底基板上形成包括像素电极的图案；所述像素电极通过所述彩膜过孔与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接。

本发明还提供一种COA基板，其采用如上所述的制造方法制造。

同时，本发明还提供一种显示装置，其包括如上所述的COA基板。

（三）有益效果

本发明所提供的COA基板的制造方法，通过灰化工艺去除彩膜过孔区域的彩膜层来形成彩膜过孔，使得形成的彩膜过孔的孔径尺寸变化量减小，最大孔径尺寸也减小，有效解决了由于彩膜过孔尺寸过大，而导致的像素单元开口率降低的问题，提高了显示装置的显示质量。附图说明

图1为现有技术中COA基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中COA基板的结构示意图一；

图3为本发明实施例中COA基板的结构示意图二；

图4～图11为图2中COA基板的制造过程示意图；

其中，1：衬底基板；2：栅电极；3：栅绝缘层；4：有源层图案；5：彩膜过孔；6：彩膜层；7：像素电极；8：钝化层；9：公共电极；10：薄膜晶体管；11：源电极；12：漏电极；13：光刻胶；14：透明保护层；15：保护层过孔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一