[发明专利]减小尺寸的偏置T型器件

说明书

背景技术

偏置T型器件（bias tee）一般用于将直流（DC）电压或电流供给到射频(RF)电路或器件，举例来讲诸如典型地用于放大器的场效应晶体管(FET)。当合并偏置T型器件进入电路或系统时，设计者必须特别注意若干特定属性，举例来讲诸如RF带宽、插入损耗、在两个RF端口的失配以及最大DC电流。

图1示出了实施典型的偏置T型器件的电流系统的第一实例100。在这个实例100中的系统包括RF/DC端口106、RF端口102、DC端口130、第一T型器件（tee）110以及第二T型器件124。第一T型器件110和第二T型器件124中的任一个或两者可以各自为分立部件或简单为多条线路或导线连接的点。

在实例100中，偏置T型器件借助位于T型器件110和RF端口102之间的第一电容器104、位于第一T型器件110和第二T型器件124之间的电感器122以及与DC端口130耦合的第二电容器132来实施。入射到RF/DC端口106的RF信号被输送到RF端口102，而DC信号在DC端口130注入。

图2 示出了实施典型的偏置T型器件的电流系统的第二实例200。在这个实例200中的系统借助穿过层202（例如基板）的电容引线销218、将电容引线销218电耦合到层202上的电容器213的第一导线214以及将电容器213电耦合到层202上的RF微波传输带204的第二导线212来实施偏置T型器件。诸如在此实例200中被实施的一个偏置T型器件典型地较大，在层202上经常要求至少3/8”（英寸）的空间。此外，电容引线销218的直径典型为至少1/4”（英寸） 。

偏置T型器件经常被用于将DC或其他低频信号置于RF/微波信号上而不会另外干扰微波信号。这通常借助线圈来实现，或者对于较高频率，借助非常长的接合导线来实现。然而，线圈被寄生效应困扰而限制了性能。

接合导线趋向于很长，因此需要专门的空腔来容纳它们。在电流系统和器件中，接合导线不能被折叠以减小空间。电流系统一般要求极长的接合导线和容纳它们的专门空腔。这些接合导线附接于金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，其典型地要求环氧树脂（其将接合导线紧固到电容器上）和额外的接合导线。

因此，仍需要一种具有减小尺寸而不会降低或限制性能的偏置T型器件。

发明内容

所公开技术的实施例一般允许电感被折叠，因此减小所要求的空间。由于部分电感被放置在基板喷涂金属粉（substrate metalization）上，因此改善了得到产品的一致性。此外，有效的宽带宽电容器可嵌入在基板的不同层中以减少装配部件的数量。

根据所公开技术的偏置T型器件一般要求仅一根接合导线，并且电容器和附加滤波可被合并在基板中。从而净结果是与更有效装配过程相关联的较小的偏置T型器件。

附图说明

图1示出了实施典型的偏置T型器件的电流电路或系统的第一实例。

图2示出了实施典型的偏置T型器件的电流电路或系统的第二实例。

图3是示出实施根据所公开技术的特定实施例的偏置T型器件的电路或系统的实例的功能图。

图4示出了实施根据所公开技术的特定实施例的偏置T型器件的电路或系统的实例的第一视图。

图5示出了在图4中所示的示例电路或系统的第二视图。

图6示出了在图4和图5中所示的示例电路或系统的第三视图。

图7示出了表明所公开技术的实施例可提供良好的带内匹配以及低损耗和高隔离的实例曲线。

具体实施方式

所公开技术的实施例一般包括减小尺寸的偏置T型器件，诸如可适用于以若干不同电路和系统中任一个来实施。本发明的这些和其他特征和实施例参照每个图继续加以描述。

图3是示出实施根据所公开技术的特定实施例的偏置T型器件的系统300的实例的功能图。系统300包括第一RF端口（“RF OUT”）302、第二RF端口（“RF IN”）306以及DC端口330。第一线路304将第一RF端口302与第一T型器件310电耦合，并且第二线路308将第二RF端口306与第一T型器件310电耦合。第一T型器件310可以是分立部件或简单为第一线路304和第二线路308各自连接的点。