[发明专利]一种纳米相变ESD器件、纳米相变ESD结构及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米相变ESD结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的掺杂扩散区；

位于所述掺杂扩散区上的纳米相变层；

以及位于所述纳米相变层上的金属导电层。

2.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，所述掺杂扩散区为P型或N型掺杂扩散区。

3.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，所述纳米相变层为Si_xO_yN_z层。

4.根据权利要求3所述的ESD结构，其特征在于，所述Si_xO_yN_z层中预扩散有所述金属导电层的金属离子。

5.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，所述金属导电层为铜层。

6.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，所述金属导电层电连接到焊盘。

7.根据权利要求1所述的ESD结构，其特征在于，所述扩散掺杂区电连接到电源。

8.一种纳米相变ESD器件，包括：

焊盘，

N型纳米相变ESD结构，电连接于所述焊盘和低电源电位之间；

P型纳米相变ESD结构，电连接于所述焊盘和高电源电位之间；

其中，所述N型或P型纳米相变ESD结构包括：

位于半导体衬底中的N型或P型掺杂扩散区；

位于所述N型或P型掺杂扩散区上的纳米相变层；

以及位于所述纳米相变层上的金属导电层。

9.根据权利要求8所述的ESD器件，其特征在于，所述纳米相变层为Si_xO_yN_z层。

10.根据权利要求9所述的ESD器件，其特征在于，所述Si_xO_yN_z层中预扩散有所述金属导电层的金属离子。

11.根据权利要求8所述的ESD器件，其特征在于，所述金属导电层为铜层。

12.根据权利要求8所述的ESD器件，其特征在于，所述金属导电层电连接到焊盘。

13.一种纳米相变ESD结构的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成掺杂扩散区；

在所述掺杂扩散区上形成纳米相变层；

在所述纳米相变层上形成金属导电层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述金属导电层之后还包括执行低温退火的步骤，以将所述金属导电层中的金属离子预扩散至所述纳米相变层中。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述掺杂扩散区为P型或N型掺杂扩散区。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述纳米相变层为Si_xO_yN_z层。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述金属导电层为铜层。