[发明专利]低聚噻吩衍生物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310275891.7 申请日: 2013-07-02
公开(公告)号: CN103374022A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 刘平;高金明 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C07D519/00 分类号: C07D519/00;C09K9/02
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 噻吩 衍生物 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机高分子光、电材料技术领域,具体涉及低聚噻吩衍生物;本发明还涉及低聚噻吩衍生物的制备方法。 

背景技术

聚合度及聚合位置可以被控制的、具有确定分子量的高纯度低聚噻吩,不仅是研究聚噻吩的“模型”化合物,自身也是一种具有优异光、电性能的电子系共轭化合物。由于其优异的光、电性能,近年来,被作为功能性有机材料进行研究和开发。到目前为止,按照低聚噻吩作为光电信息功能性有机材料的研究开发目标,设计、合成了各种低聚噻吩衍生物。这些衍生物主要被用于以下几个方面的研究:(1)通过电化学掺杂,研究所得到的离子自由基盐的导电率同共轭长度的关系;(2)研究开发低聚噻吩作为光电转换材料的光电特性,研究显示,低聚噻吩及其衍生物是非常优异的p型半导体材料;(3)研究低聚噻吩作为有机电致发光材料的发光特性;(4)研究低聚噻吩作为有机电致变色材料的应用。 

为了研究和开发新型低聚噻吩衍生物的新功能,扩展其应用领域,提高其光电性能,本发明提供一种低聚噻吩衍生物及其制备方法。 

发明内容

本发明的目的在于针对现有有机电致变色材料在施加电压时,颜色变化不稳定的情况,本发明提供一种颜色变化稳定的低聚噻吩衍生物。 

本发明的目的还在于提供低聚噻吩衍生物的制备方法。 

本发明所述低聚噻吩衍生物是1,3,5-三[5′,2-(3,4-二氧乙撑-噻吩基)-2′-噻吩基]苯(3TB-3EDOT),其具有如下的分子结构: 

本发明所述低聚噻吩衍生物的制备方法包括如下步骤: 

第一步于锥形瓶中加入1,3,5-三(2′-噻吩基)-苯(3TB),用二氯甲烷将其溶解,磁力搅拌下加入N-溴代丁二酰亚胺(NBS),室温下反应18-24小时。除去溶剂得到1,3,5-三(5′-溴-2′-噻吩基)苯(3TB-3Br)的粗产物。以石油醚作为冲洗液,用色谱柱进行分离得到较纯的3TB-3Br,然后重结晶得到纯的3TB-3Br。 

第二步在氮气的保护下,于三口烧瓶中加入3,4-二氧乙撑噻吩(EDOT)和无水四氢呋喃,将反应温度控制在-78℃。待温度稳定后,缓慢滴加正丁基锂,滴加完后升至室温,并继续反应1-3小时。然后再将反应温度降到-78℃,滴加三丁基氯化锡,滴加完后升至室温,反应过夜。反应结束后用水洗,然后用二氯甲烷萃取若干次,合并有机相并用无水硫酸钠干燥,除去溶剂,得到EDOT锡试剂。 

第三步在氮气保护下,于三口烧瓶中加入无水甲苯,再加入上述二步反应得到的3TB-3Br和EDOT锡试剂以及钯催化剂,控制温度在115℃-120℃下回流反应24-40小时。反应结束后,反应液用饱和NaCl水溶液洗涤,二氯甲烷萃取若干次,合并有机相并用无水硫酸钠干燥。过滤,除去溶剂,得到棕色3TB-3EDOT粗产物。以石油醚和乙酸乙酯的混合溶剂作为冲洗液,用色谱柱进行分离得到纯的3TB-3EDOT。 

第一步中所述重结晶是:先用热的二氯甲烷将较纯1,3,5-三(5′-溴-2′-噻吩基)苯溶解,然后滴加石油醚,再将其移至低温冷却结晶。 

本发明所述低聚噻吩衍生物的反应过程可表达如下: 

本发明与现有技术相比具有如下优点和有益效果: 

一般的有机电致变色材料在电化学掺杂时所形成的阳离子(或阴离子)自由 基不稳定,本发明所提供的低聚噻吩衍生物(3TB-3EDOT),其在电化学掺杂时所形成的阳离子(或阴离子)自由基是稳定的,有望作为新型有机电致变色材料。 

具体实施方式

下面结合实例,对本发明做进一步的详细说明 

实施例1:1,3,5-三[5′,2-(3,4-二氧乙撑-噻吩基)-2′-噻吩基]苯(3TB-3EDOT)的制备 

第一步于锥形瓶中加入1,3,5-三(2′-噻吩基)-苯(3TB),用二氯甲烷将其溶解,磁力搅拌下加入N-溴代丁二酰亚胺(NBS),室温下反应20小时。除去溶剂得到1,3,5-三(5′-溴-2′-噻吩基)苯(3TB-3Br)的粗产物。以石油醚作为冲洗液,用色谱柱进行分离得到较纯的3TB-3Br,然后重结晶得到纯的3TB-3Br。 

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