[发明专利]触控面板及其制造方法

权利要求书

1.一种触控面板，其特征在于，包括：

一基板；

一第一图案化导体层，位于该基板上，该第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有一空隙；

一图案化保护层，位于该第一图案化导体层上，该图案化保护层遮蔽所述空隙且暴露出各该第一感测垫的至少一部份以及各该第二感测垫的至少一部份；以及

一第二图案化导体层，位于该图案化保护层上。

2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各该第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中该第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各该第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，该图案化保护层更位于所述第一桥接线与所述第二桥接线之间，该触控面板还包括一绝缘层位于该第一图案化导体层、该图案化保护层以及该第二图案化导体层上。

3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，还包括一缓冲层位于该基板上，该第一图案化导体层位于该缓冲层上，所述空隙暴露出该缓冲层，其中该缓冲层的材料包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、氟化镁(MgF₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氟化铈(CeF₃)、二氧化锆(ZrO₂)、二氧化钛(TiO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、硫化锌(ZnS)或上述组合。

4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该图案化保护层的材料包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、氟化镁(MgF₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氟化铈(CeF₃)、二氧化锆(ZrO₂)、二氧化钛(TiO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、硫化锌(ZnS)或上述组合，其中该图案化保护层的厚度为约0.3至2微米。

5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该图案化保护层为网状，其中该第二图案化导体层包括多个拟图案，其中所述拟图案中的至少一个位于两相邻的第一感测垫与第二感测垫之间且与其绝缘，其中该至少一个拟图案与该两相邻的第一感测垫与第二感测垫中的一个的最短水平距离为0至15微米。

6.一种触控面板的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一第一图案化导体层，该第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有一空隙；

于该第一图案化导体层上形成一图案化保护层，该图案化保护层遮蔽所述空隙且暴露出各该第一感测垫的至少一部份以及各该第二感测垫的至少一部份；以及

于该图案化保护层上形成一第二图案化导体层。

7.根据权利要求6所述的触控面板的制造方法，其特征在于，该第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各该第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中该第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各该第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，该图案化保护层更位于所述第一桥接线与所述第二桥接线之间。