[发明专利]触控面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种面板及其制造方法，且特别是有关于一种触控面板及其制造方法。

背景技术

触控面板依照其感测方式的不同而大致上区分为电阻式触控面板、电容式触控面板、光学式触控面板、声波式触控面板以及电磁式触控面板。其中，投射电容式触控面板(Projective Capacitive Touch Panel)因智慧型手机销售量快速增长而受到瞩目。

一般来说，投射电容式触控面板依导电层之间的保护层配置方式可分为岛型(island-type)投射电容式触控面板以及通孔型(via-type)投射电容式触控面板。图1A为一种现有的岛型投射电容式触控面板的俯视示意图，图1B与图1C分别为沿图1A的I-I’与II-II’的剖面示意图。请参照图1A至图1C，投射电容式触控面板100a包括基板102、缓冲层104a、104b、多个第一感测串列110、多个第二感测串列120、用以隔离第一感测串列110与第二感测串列120的保护层130以及覆盖层140。第一感测串列110包括多个第一感测垫112与位于第一感测垫112之间的第一桥接线114，第二感测串列120包括多个第二感测垫122与位于第二感测垫122之间的第二桥接线124。

在如图1A至图1C所示的岛型投射电容式触控面板100a中，保护层130被图案化成岛状，配置于第二感测垫122与第一桥接线114之间。因此，当保护层130的材料与缓冲层104a、104b的材料相似时，用以图案化保护层130的制程有可能会一并移除作为光学匹配层(index-match layer)的缓冲层104a、104b，导致投射电容式触控面板100a的光学调整弹性减少。

图2A为一种现有的通孔型投射电容式触控面板的俯视示意图，图2B与图2C分别为沿图2A的I-I’与II-II’的剖面示意图。请参照图2A至图2C，投射电容式触控面板100b的构件与岛型投射电容式触控面板100a的构件大致相同，其主要不同处在于保护层130覆盖第一桥接线114，且第一感测垫112经由保护层130中的通孔132与第一桥接线114电性连接。由于保护层130是全面覆盖基板102，因此通孔型投射电容式触控面板100b的光学稳定性较易受到保护层130的厚度均匀性影响，导致通孔型投射电容式触控面板100b的光学稳定性可能会劣于岛型投射电容式触控面板100a。

承上述，保护层的配置方式会影响投射电容式触控面板的光学特性。因此，如何设计出具有良好光学特性的投射电容式触控面板乃是本发明相关领域的技术/研发人员所欲努力的课题之一。

发明内容

本发明提供一种触控面板，具有良好的光学特性。

本发明提供一种触控面板的制造方法，以形成具有良好光学特性的触控面板。

本发明的触控面板包括基板、第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层。第一图案化导体层位于基板上，第一图案化导体层包括多个第一感测垫以及多个第二感测垫，其中每两相邻的第一感测垫及第二感测垫间具有空隙。图案化保护层位于第一图案化导体层上，图案化保护层遮蔽空隙且暴露出各第一感测垫的至少一部份以及各第二感测垫的至少一部份。第二图案化导体层位于图案化保护层上。

在本发明的一实施例中，上述的第一图案化导体层还包括多个第一桥接线，各第一桥接线电性连接两相邻的第一感测垫，其中第二图案化导体层包括多个第二桥接线，各第二桥接线电性连接两相邻的第二感测垫，图案化保护层更位于第一桥接线与第二桥接线之间，触控面板还包括绝缘层位于第一图案化导体层、图案化保护层以及第二图案化导体层上。

在本发明的一实施例中，还包括缓冲层位于基板上，第一图案化导体层位于缓冲层上，空隙暴露出缓冲层，其中缓冲层的材料包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、氟化镁(MgF₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氟化铈(CeF₃)、二氧化锆(ZrO₂)、二氧化钛(TiO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、硫化锌(ZnS)或上述组合。