[发明专利]对存储装置进行编程的方法有效
| 申请号： | 201310277165.9 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103366818A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙;朴祥珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;邱玲 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 进行 编程 方法 | ||
1.一种对存储装置进行编程的方法，所述方法包括：
执行编程电压施加操作；
执行校验操作，
其中，在编程电压施加操作之后连续地执行多次校验操作，
其中，连续执行多次校验操作时使用的校验电压的幅值相同。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在逐渐地增加编程电压的幅值的情况下，重复执行包括一次电压施加操作和多次校验操作的一对操作，直到存储单元达到设置的阈值电压。
3.如权利要求1所述的方法，其中，存储单元是浮栅式存储单元和电荷捕获式存储单元之一。
4.如权利要求1所述的方法，其中，以一定的间隔执行多次校验操作。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述一定的间隔在1μs和100μs之间的范围内。
6.一种对存储装置进行编程的方法，所述方法包括：
执行编程电压施加操作；
执行校验操作，
其中，在编程电压施加操作之后连续地执行多次校验操作，
其中，连续执行多次校验操作时使用的校验电压的幅值连续地减小。
7.如权利要求6所述的方法，其中，校验电压逐渐地减小相同的幅值。
8.如权利要求7所述的方法，其中，校验电压逐渐地减小0.05V至0.35V。
9.如权利要求6所述的方法，其中，校验电压逐渐地减小0.05V至0.35V。
10.如权利要求6所述的方法，其中，存储单元是浮栅式存储单元和电荷捕获式存储单元之一。
11.如权利要求6所述的方法，其中，以一定的间隔执行多次校验操作。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述一定的间隔在1μs和100μs之间的范围内。
13.如权利要求6所述的方法，其中，在逐渐地增加编程电压的幅值的情况下，重复执行包括一次电压施加操作和多次校验操作的一对操作，直到存储单元达到设置的阈值电压。
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