[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一半导体芯片，包括第一衬底和形成在所述第一衬底上方的多个第一互连部件；

第二半导体芯片，接合在所述第一半导体芯片上，其中，所述第二半导体芯片包括第二衬底和形成在所述第二衬底上方的多个第二互连部件；

第一导电插塞，连接至所述第一互连部件，所述第一导电插塞包括：

第一部分，形成在所述第一互连部件与所述第一衬底的正面之间，所述第一部分具有第一宽度；和

第二部分，形成在所述第一衬底的正面与所述第一衬底的背面之间，所述第二部分具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度；以及

第二导电插塞，连接至所述第二互连部件，所述第二导电插塞包括：

第三部分，形成在所述第二互连部件与所述第一衬底的正面之间，所述第三部分具有第三宽度；和

第四部分，形成在所述第一衬底的正面和所述第一衬底的背面之间，所述第四部分具有大于或等于所述第三宽度的第四宽度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一互连部件是形成在所述第一衬底上方的金属间介电层中的第一金属线。

3.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一互连部件是形成在所述第一衬底上方的第一重分布线。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一互连部件是形成在所述第一衬底上方的第一接触件。

5.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一导电插塞通过形成在所述第一衬底的背面上方的金属线来连接至所述第二导电插塞。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一导电插塞通过形成在所述第一衬底中的连接结构来连接至所述第二导电插塞。

7.根据权利要求6述的装置，其中：

所述第一导电插塞由铜形成；

所述第二导电插塞由铜形成；以及

所述连接结构由铜形成。

8.一种器件，包括：

第一芯片，包括：

第一衬底；和

多个第一互连部件，形成在第一金属间介电层中和所述第一衬底上方；

第二芯片，接合在所述第一芯片上，所述第二芯片包括：

第二衬底；和

多个第二互连部件，形成在第二金属间介电层中和所述第二衬底上方；

第一导电插塞，穿过所述第一衬底并部分地穿过所述第一金属间介电层而形成，所述第一导电插塞连接至所述第一互连部件；以及

第二导电插塞，穿过所述第一衬底和所述第一金属间介电层并部分地穿过所述第二金属间介电层而形成，所述第二导电插塞连接至所述第二互连部件。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一导电插塞包括：

第一部分，形成在所述第一互连部件和所述第一衬底的正面之间，所述第一部分具有第一宽度；以及

第二部分，形成在所述第一衬底的正面和所述第一衬底的背面之间，所述第二部分具有大于或等于所述第一宽度的第二宽度。

10.一种方法，包括：

将第一半导体晶圆接合在第二半导体晶圆上，其中：

所述第一半导体晶圆包括：第一衬底、第一金属间介电层和第一互连结构，所述第一互连结构形成在所述第一金属间介电层中和所述第一衬底上方；以及

所述第二半导体晶圆包括：第二衬底、第二金属间介电层和第二互连结构，所述第二互连结构形成在所述第二金属间介电层中和所述第二衬底上方；

图案化所述第一衬底以在所述第一衬底中形成第一开口和第二开口；

采用蚀刻工艺并将所述第一互连结构用作硬掩模层来形成第三开口和第四开口，其中：

所述第三开口是所述第一开口的延伸并部分地穿过所述第一金属间介电层而形成；并且

所述第四开口是所述第二开口的延伸并穿过所述第一金属间介电层和部分地穿过所述第二金属间介电层而形成；以及

在所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口中镀导电材料，以形成第一导电插塞和第二导电插塞。