[发明专利]晶圆边缘缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201310277565.X | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282587B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 翟云云;戴腾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆边缘 缺陷代码 二维缺陷 缺陷信息 子区域 坐标图 检测 检测设备 差异化 圆边缘 种晶 | ||
1.一种晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，包括：
将三维立体结构的晶圆边缘分成若干个子区域；
按照所述子区域定义不同的缺陷代码，所述缺陷代码包括子区域代码和依据缺陷的形成性质划分的缺陷种类代码；
通过二维缺陷坐标图的坐标表征所述子区域；
通过检测设备获取所述晶圆边缘的缺陷信息；
根据所述缺陷代码显示所述晶圆边缘的缺陷信息；
其中，将三维立体结构的晶圆边缘分成若干个子区域的方法包括：将所述晶圆边缘分成正面区域、侧面区域以及背面区域；
以及，通过二维缺陷坐标图的坐标表征所述子区域的方法包括：使所述正面区域、侧面区域以及背面区域位于同一平面，并利用所述二维缺陷坐标图的坐标表征所述正面区域、侧面区域以及背面区域。
2.如权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测设备是显微镜。
3.如权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述晶圆边缘包括顺次连接的正面区域、侧面区域和背面区域；
其中，所述正面区域与所述背面区域分别位于所述侧面区域的两侧。
4.如权利要求3所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述正面区域包括顺次连接的第一圆环和第二圆环。
5.如权利要求3所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述背面区域包括顺次连接的第三圆环和第四圆环。
6.如权利要求1所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述子区域的数量为3～5个。
7.如权利要求6所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述子区域的数量为3个。
8.如权利要求6所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述子区域的数量为5个。
9.如权利要求1至8任一项所述的晶圆边缘缺陷的检测方法，其特征在于，所述二维缺陷坐标图保留所述子区域的圆周坐标。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310277565.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变焦透镜和摄像装置
- 下一篇：一种智能终端的节能方法及智能终端
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
