[发明专利]晶圆边缘缺陷的检测方法

说明书

本发明提供了一种晶圆边缘缺陷的检测方法，包括：将晶圆边缘分成若干个子区域，按照所述子区域定义不同的缺陷代码，通过二维缺陷坐标图的坐标表征所述子区域，通过检测设备获取所述晶圆边缘的缺陷信息，根据所述缺陷代码显示所述晶圆边缘的缺陷信息。在本发明提供的晶圆边缘缺陷的检测方法中，通过缺陷代码的差异化来区分晶圆边缘缺陷所在位置，使得二维缺陷坐标图能够正确显示晶圆边缘缺陷。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种晶圆边缘缺陷的检测方法。

背景技术

多年来，晶圆表面，包括晶圆的正面和晶圆的背面，一直是缺陷检测的焦点。晶圆的边缘则被认为不太重要的，一般不做缺陷检测。然而在制造过程中发现，晶圆边缘非常容易出现划伤或者残留异物，这些缺陷会成为污染源，向晶圆的内部区域以及表面扩散，影响晶圆内部的器件。随着特征尺寸的持续缩小，器件越发地靠近晶圆的边缘，晶圆边缘缺陷对于工艺过程以及产品良率的影响都越来越大，特别是65nm及以下的制造工艺中，晶圆边缘缺陷已经严重影响工艺过程，并且造成大量的产品报废。所以，晶圆边缘缺陷已经成为必须要检测和控制的项目。

晶圆边缘缺陷的主要类型包括划伤、颗粒污染、金属残留以及气泡，其都可以通过显微镜扫描晶圆的边缘进行观察。如图所1示，晶圆的边缘包括三个部分：正面区域、侧面区域和背面区域，正面区域和背面区域都不是单纯的平面，而是由平面部分和斜面部分组成的。整个晶圆的边缘包括从正面的平面区域到斜坡，再到最外沿的侧壁，然后到背面斜坡，最后到背面平面区域。这些位置都有可能出现划伤或者异物残留。可见，晶圆边缘缺陷是呈三维立体分布的。

之前最受关注的晶圆缺陷位于晶圆边缘之外的其他区域，即晶圆表面，包括晶圆的正面或背面。位于晶圆表面的晶圆表面缺陷是呈二维分布的，二维分布的晶圆表面缺陷通过二维检测系统进行检测，二维检测系统一般包括显微镜和二维缺陷坐标图（defectmap），显微镜与二维缺陷坐标图连接，二维缺陷坐标图能够显示显微镜扫描的结果。使用二维检测系统进行晶圆表面缺陷检测的基本过程是：显微镜扫描晶圆的正面或背面，之后二维缺陷坐标图读取显微镜的扫描结果并显示晶圆表面缺陷图像。如果直接使用检测晶圆表面缺陷的二维检测系统来检测晶圆边缘缺陷，发现二维缺陷坐标图无法正确显示三维立体分布的晶圆边缘缺陷。如图2所示，二维缺陷坐标图仅仅显示圆周坐标，所有的晶圆边缘缺陷都显示在圆周坐标上，无法识别缺陷究竟是在晶圆的正面区域，侧面区域，还是背面区域。所以，目前业界一般采用一套单独的三维检测系统来检测晶圆边缘缺陷。

但是，由于三维检测系统非常昂贵，一般制造企业都无法配备。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆边缘缺陷的检测方法，以解决现有的二维缺陷坐标图无法正确显示晶圆边缘缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆边缘缺陷的检测方法，所述晶圆边缘缺陷的检测方法包括以下步骤：

将晶圆边缘分成若干个子区域；

按照所述子区域定义不同的缺陷代码；

通过二维缺陷坐标图的坐标表征所述子区域；

通过检测设备获取所述晶圆边缘的缺陷信息；

根据所述缺陷代码显示所述晶圆边缘的缺陷信息。

优选的，在所述的晶圆边缘缺陷的检测方法中，所述检测设备是显微镜。

优选的，在所述的晶圆边缘缺陷的检测方法中，所述晶圆边缘包括顺次连接的正面区域、侧面区域和背面区域；

其中，所述正面区域与所述背面区域分别位于所述侧面区域的两侧。

优选的，在所述的晶圆边缘缺陷的检测方法中，所述正面区域包括顺次连接的第一圆环和第二圆环。