[发明专利]硅通孔的形成方法有效
| 申请号： | 201310277620.5 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104282619B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 戚德奎;张海芳;陈晓军;陈政;李新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
采用深反应性离子蚀刻在所述硅衬底中形成通孔；
在所述通孔的侧壁形成热氧化层；
去除所述热氧化层；
在所述通孔的侧壁和底部形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成导电材料以填充满所述通孔。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用炉管工艺在所述通孔的侧壁和底部形成所述热氧化层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述炉管工艺为常压炉管工艺，所述炉管工艺采用干氧氧化或者湿氧氧化，温度范围包括750摄氏度～1150摄氏度，所述炉管工艺生成的热氧化层的厚度为500埃～1500埃。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用氢氟酸清洗去除所述热氧化层。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸中氟化氢与水的摩尔比为1:10～1:50，所述氢氟酸清洗时间为5分钟～15分钟。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：在形成所述通孔之后且在形成所述绝缘层之前，重复一次或多次在所述通孔的侧壁形成所述热氧化层和去除所述热氧化层的步骤。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在去除所述热氧化层之后，还包括：采用异丙醇清洗所述通孔，并进行干燥。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在所述通孔的侧壁和底部沉积所述绝缘层。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述导电材料以填充满所述通孔之前，还包括：在所述绝缘层表面形成扩散阻挡层。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为氮化钽、钽或者它们的组合。
11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电材料为铜，采用电镀法形成所述导电材料。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述通孔的侧壁形成所述热氧化层时，所述热氧化层同时形成在所述通孔的底部；去除所述热氧化层包括：去除位于所述通孔的侧壁和底部的热氧化层。
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