[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310279491.3 申请日: 2013-07-04
公开(公告)号: CN104103424A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 金亨俊 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/002;H01G4/005;H01G4/12
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 王崇;刘国平
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多层陶瓷电容器,所述电容器包括:

陶瓷主体,所述陶瓷主体具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面;

多个内部电极,所述多个内部电极在所述陶瓷主体中形成,并且所述多个内部电极的一个末端暴露于所述第三末端表面或所述第四末端表面;和第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,形成所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分使得从所述第一侧表面和所述第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小,和

其中,所述陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层,并且当在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw,在所述覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt,和在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时,满足Gw<Gt<Ga。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw为100-120nm。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga为150-160nm。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分由陶瓷浆料形成。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器,其中,所述内部电极包括第一内部电极和第二内部电极,所述第一内部电极具有一个末端暴露于所述第三末端表面,而形成另一个末端使得与所述第四末端表面具有预定的间隔,所述第二内部电极具有一个末端暴露于所述第四末端表面,而形成另一个末端使得与所述第三末端表面具有预定的间隔。

6.一种制造多层陶瓷电容器的方法,所述方法包括:

通过使用含有第一陶瓷介电粉末的第一陶瓷浆料形成多个陶瓷生片;

在各自的陶瓷生片上印刷第一内部电极图案或第二内部电极图案;

堆叠所述多个陶瓷生片,使得所述第一内部电极图案和所述第二内部电极图案交替堆叠,以形成有助于电容形成的有效层,并在所述有效层的上部和下部的至少一个上,堆叠通过使用含有第二陶瓷介电粉末的第二陶瓷浆料形成的陶瓷生片,以形成覆盖层,所述第二陶瓷介电粉末的晶粒尺寸小于所述第一陶瓷介电粉末的晶粒尺寸,从而制备具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接所述第一侧表面和所述第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体;和

通过向各自的第一侧表面和第二侧表面施用含有第三陶瓷介电粉末的第三陶瓷浆料,形成第一侧边缘部分和第二侧边缘部分,所述第三陶瓷介电粉末的晶粒尺寸小于所述第二陶瓷介电粉末的晶粒尺寸。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,当在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw,在所述覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt,和在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时,满足Gw<Gt<Ga。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw为100-120nm。

9.根据权利要求6所述的方法,其中,在所述有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga为150-160nm。

10.根据权利要求6所述的方法,其中,将所述多个陶瓷生片、所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分在800-1200℃的温度下烧结。

11.根据权利要求6所述的方法,其中,所述方法还包括形成第一外部电极和第二外部电极,所述第一外部电极和所述第二外部电极分别与暴露于所述第三末端表面的所述第一内部电极图案和暴露于所述第四末端表面的所述第二内部电极图案连接。

12.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一侧边缘部分和所述第二侧边缘部分的平均厚度为18μm或更小。

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