[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年4月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0038321的优先权，其内容通过参考并入本文。

技术领域

本发明涉及一种多层陶瓷电容器及其制造方法，更具体地，本发明涉及一种具有优良的可靠性的高电容多层陶瓷电容器及其制造方法。

背景技术

通常，使用陶瓷材料的电子部件(例如电容器、感应器、压电元件、变阻器、热敏电阻器等)包括由陶瓷材料制成的陶瓷主体、在陶瓷主体中形成的内部电极和在陶瓷主体的外表面上安装以与内部电极连接的外部电极。

在陶瓷电子部件中，多层陶瓷电容器包括多个堆叠的介电层、其间具有介电层的彼此面对设置的内部电极和与内部电极电连接的外部电极。

由于其优点(例如小尺寸、高电容、容易安装等)，多层陶瓷电容器广泛用作移动通讯设备中的部件，例如笔记本电脑、个人数字助理(PDAs)、移动电话等。

近来，由于电子产品已微型化和多功能化，芯片部件也倾向于微型化和多功能化。结果是，需要使多层陶瓷电容器微型化并提高其电容。

为了提高多层陶瓷电容器的电容，已考虑使其介电层变薄、堆叠变薄的介电层和改进内部电极的覆盖度的方法。此外，已考虑改进用于形成电容的重叠的内部电极的面积的方法。

总的来说，如下制造多层陶瓷电容器。首先，制备陶瓷生片，并在陶瓷生片上印刷传导糊膏，以形成内部电极。具有在其上形成的内部电极的陶瓷生片以几十层至几百层的量堆叠，以制造生陶瓷多层主体。随后，在高温和高压的条件下压制生陶瓷多层主体，以制造硬的生陶瓷多层主体，并在陶瓷多层主体上实施切割过程，以制造生芯片。接着，将生芯片煅烧和烧结，在其上形成外部电极，以完成多层陶瓷电容器。

在通过上述制造方法制造多层陶瓷电容器的情况下，由于难以显著降低在其上不形成内部电极的介电层的边缘部分区域，在增加内部电极的重叠面积方面存在限制。此外，由于形成的多层陶瓷电容器的边缘的边缘部分比在其它区域中的边缘部分厚，在煅烧和烧结时不容易从中除去碳。

为了解决上述限制，已考虑一种方法，其中在前面制造的陶瓷多层主体中形成在其上不形成内部电极的边缘部分区域，但是，该方法具有缺陷，在于由于在陶瓷多层主体和边缘部分之间的非压缩区域，陶瓷多层主体具有降低的耐湿特性并且不耐冲击。

以下相关的技术文件变化地控制构成电容部分的介电晶粒的平均晶粒尺寸和构成特定的电容部分的介电晶粒的平均晶粒尺寸，但是未解决上述缺陷。

[相关的技术文件]

(专利文件1)WO2003-017356

发明内容

本发明的一方面提供了一种具有优良的可靠性的高电容多层陶瓷电容器及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供了一种多层陶瓷电容器，所述电容器包括：具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面以及连接第一侧表面和第二侧表面的第三末端表面和第四末端表面的陶瓷主体；在陶瓷主体中形成并且具有其一个末端暴露于第三末端表面或第四末端表面的多个内部电极；和形成的第一侧边缘部分和第二侧边缘部分，使得从第一侧表面和第二侧表面到内部电极的边缘的平均厚度为18μm或更小，并且其中，陶瓷主体包括有助于电容形成的有效层和在所述有效层的上部和下部的至少一个上提供的覆盖层，并且当在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gw，在覆盖层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Gt，和在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸定义为Ga时，满足Gw＜Gt＜Ga。

在第一侧边缘部分和第二侧边缘部分中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Gw可为100-120nm。

在有效层中的介电晶粒的平均晶粒尺寸Ga可为150-160nm。

第一侧边缘部分和第二侧边缘部分可由陶瓷浆料形成。

内部电极可包括第一内部电极和第二内部电极，第一内部电极具有一个末端暴露于第三末端表面，而形成另一个末端使得与第四末端表面具有预定的间隔，第二内部电极具有一个末端暴露于第四末端表面，而形成另一个末端使得与第三末端表面具有预定的间隔。