[发明专利]固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备有效
申请号: | 201310280645.0 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103545329B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 池田晴美;舘下八州志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
本发明提供一种固态成像装置、制造固态成像装置的方法以及电子设备。该固态成像装置包括半导体基板、每一个均包括形成在半导体基板中的光电转换部的像素、形成在半导体基板中且分隔相邻像素的沟槽以及形成在每个像素的光电转换部之上且埋设在沟槽的至少一部分中的彩色滤光片。
技术领域
本发明涉及固态成像装置和制造该固态成像装置的方法。此外,本发明涉及包括固态成像装置的电子设备。
背景技术
在固态成像装置中,存在像素的光或电荷透入相邻像素中的情况,导致所谓的混色。为了抑制混色,已经提出了沟槽形成在像素之间以将像素彼此物理分隔且诸如金属的遮光材料埋设在沟槽中的构造(例如,见JP2011-3860A)。
发明内容
当遮光材料埋设在像素之间形成的沟槽中时,由遮光材料抑制与相邻像素的混色,但是由于反射或吸收会引起灵敏度下降。特别是,入射倒埋设有遮光材料的沟槽的顶表面上的光由遮光材料反射或吸收,而不入射到像素上,因此灵敏度相应地下降。
所希望的是提供一种固态成像装置以及制造该固态成像装置的方法,以便能改善灵敏度而抑制混色。此外,希望提供包括该固态成像装置的电子设备。
根据本发明的实施例,所提供的固态成像装置包括半导体基板、每一个包括形成在半导体基板中的光电转换部的像素、形成在半导体基板中且分隔相邻像素的沟槽以及形成在每个像素的光电转换部之上且埋设在沟槽的至少一部分中的彩色滤光片。
根据本发明的实施例,所提供的制造固态成像装置的方法包括:在半导体基板中形成包括在像素中的光电转换部,在半导体基板中形成分隔相邻像素的沟槽,以及在每个像素的光电转换部之上形成彩色滤光片且在沟槽的至少一部分中埋设彩色滤光片。
根据本发明实施例的电子设备包括光学系统、固态成像装置和处理固态成像装置的输出信号的信号处理电路,并且构造为其中该固态成像装置是根据本发明实施例的固态成像装置。
根据本发明实施例的固态成像装置的构造,彩色滤光片形成为埋设在用以彼此分隔相邻像素的沟槽的至少一部分中。结果,通过沟槽中埋设的彩色滤光片,可防止光渗透到相邻像素中,并且可抑制混色的发生。此外,因为沟槽中不使用诸如金属的遮光材料,所以可抑制由反射或吸收引起的灵敏度下降。
根据本发明的制造固态成像装置的方法,因为彩色滤光片形成为埋设在沟槽的至少一部分中,所以可防止光渗透到相邻像素中,并且可抑制混色的发生。此外,因为彩色滤光片形成在像素的光电转换部之上且彩色滤光片形成为埋设在沟槽的至少一部分中,所以彩色滤光片可同时形成在像素的光电转换部之上和沟槽之中。
根据本发明实施例的电子设备的构造,因为该电子设备包括根据本发明实施例的固态成像装置,所以固态成像装置中可抑制混色的发生,并且可抑制灵敏度的下降。
根据上述的本发明的实施例,因为可抑制混色的发生且可抑制灵敏度的下降,所以可改善灵敏度而抑制混色。
此外,根据本发明实施例的制造固态成像装置的方法,因为彩色滤光片可同时形成在像素的光电转换部之上和沟槽之中,所以,与其中遮光材料等与彩色滤光片分开地埋设在沟槽中的情况相比,可减少工艺的数量。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的固态成像装置的示意性构造图(平面图);
图2是示出根据第一实施例的固态成像装置的主要部分的截面图;
图3A至3C是用于描述根据第一实施例的固态成像装置中像素的颜色阵列和彩色滤光片阵列的示意图;
图4是示出所预期的光谱结果图像的示意图;
图5是示出制造根据第一实施例的固态成像装置的方法的工艺图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的